ใบความรู้

1 วชิ า อุปกรณ์อิเลก็ ทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วชิ า 2104 – 2112

บทท่ี 1
สารกงึ่ ตัวนา และไดโอด

วัตถปุ ระสงค์

1. เขา้ ใจอะตอมของฉนวน ตวั นา และสารกงึ่ ตัวนา
2. อธบิ ายสารก่ึงตวั นา ชนิดตา่ งๆได้
3. เข้าใจการไบแอส รอยต่อ พี-เอน็ ของสารกึง่ ตวั นา
4. อธบิ ายไดโอด และคณุ สมบัตทิ างกระแสและแรงดันของไดโอดได้

1.1 อะตอมของวสั ดุ

วัสดุทุกชนิดในโลก เกิดจาการรวมตัวของอะตอมหลาย ๆ อะตอม (Atom) อะตอม
คือ อนุภาคขนาดเล็กมาก ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตามเปล่า โครงสร้างของอะตอม
ประกอบไปด้วย (1) แกนกลาง หรือนิวเคลียส (Nuclease) ซึ่งมีประจุไฟฟ้าบวก ในนิวเคลียส
จะประกอบไปด้วยอนุภาค อีก 2 ชนิด คือ นิวตรอน (Neutron) และโปรตอน (Proton) ซ่ึงมี
จานวนเท่ากัน และเท่ากับจานวนของอิเล็กตรอน (2)อิเล็กตรอน (Electron) ซ่ึงโคจรอยู่รอบ
ๆ นิวเคลียส อิเลก็ ตรอนจะมีประจุไฟฟา้ ลบอยู่ที่ตัวของมัน ดงั รูปท่ี 1-1

รูปท่ี 1-1 อะตอมของวสั ดุ

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 1

2 วชิ า อุปกรณ์อิเลก็ ทรอนิกสแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วชิ า 2104 – 2112

1.2 ฉนวน ตัวนา และสารกึ่งตวั นา

ฉนวน (Insulator) หมายถึง วัสดุท่ีมีความต้านทานไฟฟ้าสูง วัสดุที่มีคุณสมบัติเป็น
ฉนวน คือวัสดุที่อะตอมของมันมีอิเล็กตรอนวงนอกสุด จานวน 8 ตัว วัสดุกลุ่มนี้จะมีแรงยึด
เหนี่ยวระหว่างอะตอมของวัสดุท่ีแน่นหนามาก พลังงานจากภายนอกไม่สามารถทาให้
อิเล็กตรอน (Electron) ท้ัง 8 ตัว ท่ีเกาะเกี่ยวกันอยู่หลุดออกไปได้ กระแสไฟฟ้า (อเิ ล็กตรอน)
จงึ ไมส่ ามารถไหลผ่านฉนวนได้ โครงสร้างอะตอมของฉนวนแสดงในรูปที่ 1-2

รูปท่ี 1-2 โครงสร้างอะตอมของฉนวน รปู ท่ี 1-3 โครงสรา้ งอะตอมของตวั นา

ตัวนา (Conductor) หมายถึง วัสดุที่มีความต้านทานไฟฟ้าต่ามาก หรือมีค่าความนา
ไฟฟ้า (Conductor) สูงมาก กระแสไฟฟ้าจะไหลผ่านวัดสุตัวนาได้ดี วัสดุที่มีคุณสมบัติเป็น
ตัวนา อะตอมของมันจะมีอิเล็กตรอนวงนอกสุดน้อยท่ีสุด คือมีเพียง 1 ตัว เท่านั้น แรงยึด
เหน่ียวระหว่างอะตอม ของมันจึงต่ามาก พลังงานจากภายนอกเพียงเล็กน้อย จะทาให้
อิเล็กตรอนวงนอกสุด หลุดออกมาจากการเกาะเก่ียว ทาให้เกิดกระแสไฟฟ้าไหลได้ โดยง่าย
โครงสรา้ งอะตอมของตวั นาแสดงในรปู ที่ 1-3

สารกงึ่ ตวั นา (Semiconductor) หมายถึง วสั ดุท่ีมคี ุณสมบัติกึ่งฉนวน และกึ่งตัวนา แสดง
วา่ มีอเิ ลก็ ตรอนวงนอกสุด (Valance Electron) จานวน 4 ตัว จงึ มีแรงยึดเหน่ียวระหวา่ งอะตอม
ปานกลาง เม่ือมีพลังงานไฟฟ้าจานวนหน่ึง จ่ายให้กับมันในขั้วท่ีถูกต้อง มันจะนากระแสได้
(เป็นตัวนา) และหากจ่ายไฟฟ้าในขั้วท่ีกลับกัน มันจะไม่นาไฟฟ้า (เป็นฉนวน) โครงสร้าง

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 2

3 วิชา อปุ กรณอ์ ิเลก็ ทรอนิกส์และวงจร บทที่ 1
รหัสวิชา 2104 – 2112

อะตอมของวสั ดุที่เป็นสารก่ึงตัวนาแสดงในรปู ท่ี 1-4 สารกง่ึ ตัวนาท่ีนิยมใช้กันอย่างแพร่หลาย
เชน่ ซิลคิ อน (Silicon) และเยอรมาเนียม (Germanium) เป็นต้น

รปู ท่ี 1-4 โครงสรา้ งอะตอมของสารกงึ่ ตัวนา

1.3 สารกึง่ ตวั นาซลิ คิ อน (Silicon Semiconductor)

ซิลิคอน อะตอม (Silicon atom ; Si) เป็นอะตอมของสารก่ึงตัวนาชนิดหน่ึงที่สาคัญและ
นามาใช้สร้างเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนาเกือบทุกชนิด อะตอมของซิลิคอนจะมีอิเล็กตรอน
วงนอกสุด จานวน 4 ตัว แต่ละอะตอมจะแบ่งปันการเกาะเก่ียวกัน กับซิลิคอนอะตอมอ่ืน ๆ
ทาให้เกิดแถบยึดเหนี่ยว (Bond) ในแนวตั้ง และแนวนอน ทาใหว้ ัสดุสารกึ่งตวั นารวมกันเป็น
ชิ้น หรือเป็นผลึกได้ ดังรูปท่ี 1-6 ส่วนภาพ 1-5 แสดงการเกาะเกี่ยวกันของอะตอม ซิลิคอน
บรสิ ทุ ธ์ิ (Intrinsic Silicon)

รปู ท่ี 1-5 แสดงการเกาะเก่ียวกนั ของ รปู ที่ 1-6 แสดงโครงสร้างอะตอมของ
อเิ ล็กตรอนวงนอกสุดของอะตอมซลิ ิคอน ผลกึ ซิลคิ อนบริสุทธิ์

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 3

4 วิชา อปุ กรณอ์ เิ ล็กทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหัสวชิ า 2104 – 2112

เม่ือมีพลังงานจากภายนอก เช่น ไฟฟ้า ความร้อน หรือพลังงานจากแสงอาทิตย์
(พลังงานเหล่านี้ส่งคล่ืนแม่เหล็กไฟฟ้าออกมา) มากระทบต่อสารก่ึงตัวนา หากพลังงานมีค่า
มากกว่าแรงยึดเหนี่ยวของอิเล็กตรอนวงนอกสุดของอะตอมซิลิคอน จะทาให้อิเล็กตรอน
หลุดออกมา เรยี กว่า อิเล็กตรอนอสิ ระ (Free Electron) ซึ่งคือกระแสไฟฟ้า มีประจุดเป็นลบ(-)
และตาแหน่งท่ีมันหลุดออกมาจะเกิดช่องวา่ ง หรือโฮล (Hole) มีประจุไฟฟ้าเป็นบวก (+) ดัง
รปู ท่ี 1-7

รูปท่ี 1-7 การเกดิ อเิ ล็กตรอนอิสระ และโฮลในสารกง่ึ ตวั นาซลิ ิคอน

1-3-1 สารกง่ึ ตัวนาชนิดเอน็ (N-type Semiconductor)
เม่ือนาสารก่ึงตัวนาบริสุทธิ์ มาเติมด้วยธาตุชนิดอืน่ ที่มีอะตอมตา่ งกันเข้ามา เรียกว่าการ

โด๊ป (Doping) จะเปล่ียนคุณสมบัติทางไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนาบริสุทธ์ิ ให้เป็นสารกึ่งตัวนา
ชนดิ เอ็น หรอื สารกงึ่ ตา้ นชนิดพี (P-type Semiconductor)

อะตอมของฟอสฟอรัส (Phosphorus atom : P) ฟอสฟอรัสเป็นธาตุลาดับท่ี 15 ในตาราง
ธาตุ มีจานวนอิเล็กตรอนวงนอกสุด 5 ตัว เมื่อนาฟอสฟอรัส 1 อะตอม ไปเติมลงในผลึก
ซิลิคอนบริสุทธิ์ จะเกิดอิเล็กตรอนส่วนเกินมา 1 ตัว และหากเติมอะตอมฟอสฟอรัสเข้าไป 7
ตัวจะทาให้เกดิ อิเลก็ ตรอนสว่ นเกนิ 7 ตัว ดังรปู ท่ี 1-8

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 4

5 วิชา อปุ กรณ์อิเล็กทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วิชา 2104 – 2112

รปู ที่ 1-8 การเตมิ อะตอมของฟอสฟอรสั เข้าไปในผลึกซิลิคอน

สารกึ่งตัวนาชนิด-เอ็น จะมีประจุ
พาหะข้างมากเป็นลบ (Majority charge
carriers are negative) และมปี ระจุพาหะ
ข้างน้อยเป็นบวก หรือ โฮล ภาพท่ีเขียน
แทนสารก่ึงตัวนาชนิดเอ็นแสดงในรูป
ท่ี 1-9
รปู ที่ 1-9 สารกึ่งตัวนาชนดิ -เอ็น

1-3-2 สารกง่ึ ตัวนาชนิด-พี (P-Type Semiconductor)
อะตอมของโบรอน (Boron Atom ; B) โบรอน (B) คือ ธาตุท่ีอยู่ในลาดับท่ี 5 ในตาราง

ธาตุ เป็นธาตทุ ี่มอี ิเลก็ ตรอนวงนอกสุดจานวน 3
ตัว และเมือ่ เตมิ โบรอน 1 อะตอมเขา้ ไปใน
ซลิ คิ อนบรสิ ุทธิ์ จะทาให้เกิดชอ่ งว่าง หรือ โฮล
1 ตาแหน่ง โฮลน้จี ะมีประจุไฟฟ้าบวก (+) ดงั
แสดงในรปู ท่ี 1 – 10

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 5

6 วิชา อปุ กรณ์อิเลก็ ทรอนิกส์และวงจร บทที่ 1
รหัสวิชา 2104 – 2112

รูปที่ 1-10 อะตอมของโบรอนเติมในสารซลิ ิคอนบริสุทธ์ิ

เ ม่ื อ เ ติ ม อ ะ ต อ ม ข อ ง โ บ ร อ น
จานวนมาก ๆ จะทาให้สารก่ึง
ตั ว น า บ ริ สุ ท ธ์ิ ก ล า ย เ ป็ น ส า ร ก่ึ ง
ตัวนาชนิด-พี ภายในสารกึ่งตัวนา
ชนิด-พี จะมีประจุข้างมากเป็น
บวก (+) เพราะมีโฮล จานวนมาก
น่นั เอง รูปของผลกึ สารกง่ึ ตวั นา
ชนิด-พี (ซิลิคอน) แสดงในรูปท่ี
1-11

รูปที่ 1-11 สารกงึ่ ตัวนาซิลคิ อนชนดิ -พี

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 6

7 วชิ า อปุ กรณอ์ เิ ล็กทรอนิกส์และวงจร บทที่ 1
รหัสวชิ า 2104 – 2112

1.4 สารกง่ึ ตัวนา พ-ี เอน็ และการไบแอส

1-4-1 การเชื่อมตอ่ พี-เอ็น (P-N Junction)
คือ การนาสารกึ่งตัวนาชนิด – พี มาต่อกับสารก่ึงตัวนาชนิด-เอ็น เม่ือเกิดการต่อกันจะ

เกิดปรากฏการณ์ตามลาดับดังน้ี เกิดการเคล่ือนท่ีของอิเล็กตรอน จากสาร-เอ็น บริเวณใกล้
รอยตอ่ ข้ามรอยตอ่ ไปจบั กับโฮลใน
สาร-พี ทาให้อิเล็กตรอนจับคู่กับ
โฮล ทาให้เกิดสภาวะเป็นกลาง คือ
ไม่มีประจุไฟฟ้าบริเวณรอยต่อ พี-
เอ็น เพราะไม่มีประจุไฟฟ้าบวก
หรือ ลบ อยู่เลย เราเรียกว่าบริเวณ
ปลอดพาหะ (Depletion Layer)
รอยต่อด้านสาร-พี จะสูญเสียโฮล
ไป จึงเกิดศักดาไฟฟ้าลบ ส่วนทาง
สาร-เอ็น สูญเสียอิเล็กตรอนไป จึง
เกิดศักดาไฟฟ้าบวก จึงทาให้เกิด
แ ร ง ดั น ไ ฟ ฟ้ า ต า ค ร่ อ ม ร อ ย ต่ อ
พี-เอ็น ของสารกึ่ งตัวนาชนิด
ซิลิคอน (Junction Voltage) มี
คา่ ประมาณ 0.6 V ดังแสดงในรูปท่ี
1-12

รปู ท่ี 1-12 การเชื่อมตอ่ ของสาร
กึง่ ตวั นา พ-ี เอน็ และการเกดิ บริเวณ
ปลอดพาหะและแรงดนั ตกครอ่ ม

รอยต่อ พี-เอ็น

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 7

8 วชิ า อปุ กรณ์อเิ ลก็ ทรอนิกสแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหัสวชิ า 2104 – 2112

1-4-2 การไบแอส (Bias)
การไบแอส ใหร้ อยตอ่ พี-เอ็น ทาได้ 2 วิธี คือ การใหไ้ บแอสตรง (Forward Bias) และ

การใหไ้ บแอสกลับ (Reverse Bias) การไบแอส หมายถึง การป้อนแรงดันไฟฟ้าเข้าที่สารกึ่ง
ตัวนาชนดิ พแี ละเอน็

การไบแอสกลับ คือ การจ่ายแรงดันไฟฟ้าขั้วบวก (+) เข้าท่ีสารกึ่งตัวนาชนิดเอ็น
(N-type to positive) และจ่ายข้วั ลบ (-) ของแหล่งจา่ ยไฟฟา้ เขา้ ท่ีสารกึ่งตัวนาชนิดพี (P-type to
negative) เมื่อต่อไบแอสกลับให้กับรอยตอ่ พี-เอ็น จะทาให้บริเวณปลอดพาหะกว้างมากขึ้น
จะมีกระแสไฟฟ้าไหลเข้ารอยต่อได้ เปรียบเหมือนสภาวะท่ีรอยต่อ พี-เอ็น ทางานคล้ายฉนวน
“สรุปได้ว่า เมื่อรอยต่อ พี-เอ็น ได้รับไบแอสกลับจะไม่มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านตัวมัน” แต่
ในทางปฏิบัติจะมีกระแสรั่วไหล (Leakage Current) ไหลผ่านจานวนน้อยมาก มีค่าเพียง
ไมโครแอมแปร์เทา่ นั้น ดังแสดงในรูปท่ี 1-13

รปู ที่ 1-13 การไบแอสกลบั รอยตอ่ พ-ี เอน็

การไบแอสตรง คือการจ่ายไฟฟ้าขั้วบวก (+) ให้กับสารก่ึงตัวนาชนิดพี และแหล่งจ่าย
ไฟฟา้ ขว้ั ลบ (-) ใหก้ บั สารกงึ่ ตวั นาชนดิ เอ็น จะทาให้อิเลก็ ตรอนท่ีมีอยู่จานวนมาก (Majority)
ในชิ้นสารก่ึงตวั นาชนิด-เอน็ เคล่ือนที่ขา้ มรอยต่อทันที เกิดกระแสไฟฟ้าจานวนมากไหลผ่าน
รอยตอ่ พี-เอ็น ได้ อย่างไรก็ตามยังคงมีแรงดันตกคร่อมรอยต่อประมาณ 0.6 V เม่ือมีกระแส
ไหลผ่านรอยต่อ พี-เอ็น ดังรูปที่ 1-14 ให้ซิลิคอน อะตอม (Silicon atom ; Si) เป็นอะตอมของ
สารกึ่งตัวนาชนิดหน่ึงที่สาคัญและนามาใช้สร้างเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนา เกือบทุกชนิด
อะตอมของซิลิคอนจะมี

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 8

9 วิชา อปุ กรณอ์ ิเล็กทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหัสวิชา 2104 – 2112

รปู ที่ 1-14 การไบแอสตรง ท่ีรอยตอ่ พ-ี เอ็น

1-5 ไดโอด (Diode)

รอยตอ่ พี-เอ็น ของสารก่งึ ตัวนาซิลคิ อน ได้พฒั นามาเป็นอปุ กรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เรียกวา่
ไดโอด ไดโอดมี 2 ขั้ว ขว้ั ท่ีชิน้ สารชนิดพี เรยี กว่า แอโนด Anode : (A) และข้วั ท่ีชิ้นสารชนิด
เอ็นเรียกว่า แคโทด (Cathode : K) สัญลักษณ์ของไดโอดเปรียบเทียบกับสารกึ่งตัวนา
1 รอยตอ่ (พี-เอ็น) แสดงในรปู ที่ 1-15

ดังน้ัน แรงดันที่ตกคร่อมไดโอด เม่ือ
ไดโอดนากระแสจงึ เท่ากับ 0.6V มันคือ
แรงดันท่ีตกคร่อมรอยต่อ พี -เอ็น
น่ันเอง
รปู ที่ 1-15

1-5-1 คณุ สมบตั ขิ องไดโอด

1. เมื่อได้รบั ไบแอสกลบั ไดโอดจะไมน่ ากระแส
2. เมือ่ ได้รบั ไบแอสตรง ทแี่ รงดันมากวา่ 0.6V ไดโอดจะนากระแสได้
3. โดยปกตใิ นรวมไดโอดจะต้องต่อตวั ต้านทานจากดั กระแสเพอ่ื ปอ้ งกันไดโอดเสมอ

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 9

10 วิชา อุปกรณอ์ ิเลก็ ทรอนิกส์และวงจร บทที่ 1
รหสั วชิ า 2104 – 2112

รูปท่ี 1-16 การไบแอสไดโอด

ลักษณะของไดโอดแสดงในรูปที่ 1-17 ท่ีตัวถังไดโอด
ขนาดเล็กจะมีแถบสีเงิน ซึ่งแสดงว่าเป็นข้ัวแคโทด (K) อีกขั้ว
หนึ่งของมันจึงเป็นข้ัวแอโนด (A) โดยปกติไดโอดจะใช้ใน
วงจรเรียงกระแส (Rectifier Circuit) เพ่ือแปลงกระแสไฟสลับ
ใหเ้ ปน็ กระแสไฟตรง

รปู ท่ี 1-17 ลักษณะของไดโอด

1-5-2 ไดโอดเปลง่ แสง (Light Emitting diode : LED)

ไดโอดบางชนิดเมื่อได้รับไบแอสตรง หรือเมื่อนากระแส จะเปล่งแสงได้ เราเรียกว่า
ไดโอดเปล่งแสง หรือ แอล.อี.ดี. (LED) ลักษณะของแอล.อี.ดี. แสดงในรูปที่ 1-19 ลักษณะ
ของมันจะมีขายาว ๆ และตัวหลอดเป็นพลาสติค จะมีสีชัดเจน เช่น สีแดง สีเขียว สีเหลือง
เปน็ ตน้

รูปที่ 1-18 ลักษณะของ
ไดโอดเปล่งแสง

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 10

11 วิชา อปุ กรณ์อิเล็กทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วชิ า 2104 – 2112

1-5-3 กราฟคุณสมบัติของไดโอด

กราฟคุณสมบัติของไดโอด
เป็นคณุ สมบัติทางกระแสและ
แรงดัน (VI Curve) เมื่อ
ไดโอดได้รับไบแอสตรงและ
ไบแอสกลับ เมื่อไดโอดได้รับ
ไบแอสตรงจะมีกระแสไหล
ผ่ า น ไ ด โ อ ด ไ ด้ แ ล ะ จ ะ มี
แรงดันตาคร่อมไดโอดเท่ากับ
0.6V เมื่อไดโอดไดร้ ับไบแอส
กลับ จะมีกระแสร่ัวไหลผ่าน
ไดโอดได้จานวนน้อยมาก
(น้อยกว่าไมโครแอมป)์

รูปท่ี 1-19 กราฟคุณสมบัตทิ างกระแสและแรงดัน (VI Curve) ของไดโอด

(หรือ 1 A) และถ้าไดโอดได้รับไบแอสกลับท่ีแรงดันสูงมาก ๆ จะมีกระแสไฟฟ้า

1,000,000

จานวนมากไหลทะลุผ่านไดโอด ไดโอดจะพงั เสียหาย ที่จุดเบรกดาวน์ (Breakdown point)
กราฟคณุ ลักษณะของไดโอดแสดงในรปู ที่ 1-19

1-5-4 ดาต้าชที ของไดโอด (Diode Data Sheet)

ดาต้าชีท จะแสดงข้อมูลพื้นฐานท่ีจาเป็นในการเลือกใช้งานไดโอดได้อย่างถูกต้อง ซึ่ง
ควรอา่ นและเขา้ ในในตวั เลยทส่ี าคญั 4 ค่า คือ

1. แรงดันตกครอ่ มเมือ่ นากระแส (Forward Voltage Drop)
2. กระแสเฉล่ียเมือ่ ไดโอดได้รับไบแอสตรง (Average forward Current)
3. กระแสไบแอสกลับสูงสดุ (Peak Reverse Current)
4. แรงดนั เบรกดาวน์ (Breakdown Voltage)
ตวั อยา่ งการอา่ นค่าไดโอดจากดาตา้ ชีท แสดงในรูปที่ 1-20

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 11

12 วชิ า อุปกรณ์อิเลก็ ทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วิชา 2104 – 2112

รูปท่ี 1-20 ดาตา้ ชีทของไดโอด เบอร์ 1N4001-1N4007

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 12

13 วิชา อปุ กรณ์อเิ ล็กทรอนิกสแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วิชา 2104 – 2112

แบบฝกึ หัดเรือ่ ง สารกง่ึ ตวั นาและไดโอด

จงเลือกคาตอบท่ีถูกตอ้ งที่สุดเพยี งคาตอบเดยี ว

1.อะตอมของซลิ คิ อน มอี ิเลก็ ตรอนวงนอกสดุ ก่ตี วั

ก. 2 ตวั ข. 3 ตวั

ค. 4 ตวั ง. 5 ตัว

2.สารกึ่งตัวนาซลิ ิคอนชนดิ พี เกิดจากการเตมิ สารชนดิ ใดเขา้ ไปในผลกึ ซิลิคอน

ก. โบรอน ข. แคลเซยี ม

ค. ฟอสฟอรัส ง. โปรแตสเซยี ม

3.เมอ่ื สาสารก่ึงตวั นาชนิด พี-เอ็น มาตอ่ กันจะเกิดส่ิงใดกอ่ น

ก. บรเิ วณปลอดพาหะ ข. ไดโอด
ค. แรงดนั ตาครอ่ ม 0.6V ง. กระแสไม่ไหลผา่ นรอยต่อ
4.วัสดุที่เป็นตวั นา จะมีจานวนของอเิ ลก็ ตรอนวงนอกสุดกตี่ ัว

ก. 8 ตวั ข. 4 ตวั

ค. 2 ตัว ง. 1 ตัว

5.ขอ้ ใดกลา่ วถูกตอ้ ง เร่อื ง สารก่งึ ตัวนา

ก. สารที่มีคณุ สมบตั ิเปน็ ตัวนา

ข. สารทม่ี คี ุณสมบตั เิ ป็นตวั นาและเป็นฉนวนก็ได้

ค. สารที่มคี ณุ สมบัตดิ กี ว่าฉนวน

ง. สารทมี่ คี ุณสมบัตดิ ีกวา่ ตัวนา

6.โฮล ในสารก่งึ ตวั นาจะมีประจไุ ฟฟา้ เป็น

ก. ลบ ข. บวก
ค. กลาง ง. บวก – ลบ

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 13

14 วชิ า อปุ กรณ์อิเล็กทรอนิกส์และวงจร บทที่ 1
รหสั วิชา 2104 – 2112

7.อิเล็กตรอนในสารกง่ึ ตวั นาจะเคลือ่ นท่ไี ปไดด้ ้วยสาเหตใุ ด

ก. ได้รับความร้อน

ข. ไดร้ ับแสงสว่าง

ค. ได้รบั ความเย็น

ง. ขอ้ ก. และข้อ ข. ถกู

8.ขอ้ ใดคือสารกง่ึ ตวั นาชนิดเอน็

ก. มีโฮลจานวนมาก ข. มีจานวนอิเลก็ ตรอนมาก
มปี ระจุไฟฟา้ ทรี่ อยต่อ 0.6V
ค. มจี านวนโฮลเท่ากบั อเิ ล็กตรอน ง.

9.ข้อใดกลา่ วถึงไดโอดไม่ถกู ต้อง

ก. มแี รงดนั ตาครอ่ มรอยต่อ 6.0V

ข. มีขว้ั 2 ขว้ั คือ บวก / ลบ

ค. มขี ว้ั 2 ขวั้ คือ แอโนด / แคโทด

ง. มรี าคาถกู

10. การไบแอสตรง ใหก้ บั ไดโอด หมายถึงข้อใด

ก. ให้แรงดนั + กับขวั้ A และแรงดนั – กบั ขั้ว K

ข. ใหแ้ รงดนั - กับข้วั A และแรงดนั + กบั ขัว้ K

ค. ใหแ้ รงดนั + กับข้วั K และแรงดัน – กับขว้ั A

ง. ให้แรงดนั + กบั ขั้ว P และแรงดัน – กับขั้ว N

11. ข้อใดคอื ไดโอดเปล่งแสง

ก. ข .

ค. ง.

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หนา้ 14

15 วชิ า อปุ กรณอ์ เิ ล็กทรอนกิ สแ์ ละวงจร บทที่ 1
รหสั วชิ า 2104 – 2112

12. ขอ้ ใดคอื กราฟคณุ สมบตั ิของไดโอด

ก. ข.

ค. ง.

NAPAT WATJANATEPIN ELWE(THAILAND) หน้า 15