22-2010-3

ՀՐԱԺԵՇՏԻ ՀԱՆԳՐՎԱՆՆԵՐ

հազարավոր մարդկային կյանք։ սին, երկրաշարժի ժամանակ կական ղեկավար, մեծ մարդու
Հենց իր նախաձեռնությամբ բազմաթիվ հայ երեխաների օրինակ։ Նա, իրոք, զարմանա­
ստեղծվեցին հիվանդանոցային կյանքը փրկած, լեգենդար բժիշկ լիորեն վառ և լուսավոր մարդ էր
համալիրներ, բժշկական կենտ­ Լեոնիդ Ռոշալը. «Իմ ողջ կյանքի և այդպիսի լուսավոր և վառ
րոններ, կլինիկական ինստի­ ընթացքում չեմ հանդիպել այդ­ անհատականություն էլ մնաց
տուտներ, լաբորատորիաներ՝ պիսի անխոնջ եռանդի և նման մինչև իր կյանքի վերջին օրերը։
հագեցած ժամանակակից տեխ­ գերագույն կազմակերպվածութ­
նիկական սարքավորումներով, յան տեր մարդու, ինչպիսին էմիլ Նրա բազմակողմանի խառն­
Սամսոնի Գաբրիելյւսնն է։ Այն, վածքի ևս մեկ սքանչելի բնութա­
բացվեց ախտաբանական կենտ­ ինչ նա հասցնում էր անել այն ող­ գիր՝ նա ընկերների նկատմամբ
րոն՝ ի դեպ, առաջինը Խորհրդա­ տածում էր սիրո և նվիրվածութ­
յին միությունում։ Հիմնադրվեց բերգական օրերին, անհավանա­ յան անհաղթահարելի մի զգաց­
նաև հանրապետության համար կան է։ Ես երբեք չէի հավատա, ում՝ ընկերության անխարդախ,
հույժ կարևոր Դեղորայքների եթե այդ ամենը չտեսնեի սեփա­ անշահախնդիր զգացում։
և բժշկական տեխնոլոգիանե­ կան աչքով։ Այսպիսի քաղաքա­
րի փորձաքննության գիտական ցով կարող էհպարտանալ յուրա­ Տարիներ առաջ, ինձնից ան­
կենտրոնը, որը նա ղեկավարեց քանչյուր հայրենիք»։ կախ հանգամանքների բերու­
մինչև իր կյանքի վերջը։ մով, ես վերապրում էի որոշակի
Հայ ժողովրդի երախտա­ հոգեկան անկում։ հմ բավական
էմիլ Գաբրիելյանը երկար պարտ հիշողության մեջ էմիլ լայն շրջապատում միակ բարե­
տարիներ զբաղեցնում էր հան­ Գաբրիելյանը կմնա որպես իս­ կամական օգնության ձեռք մեկ­
րապետության գիտությունների նողը եղավ էմիլ Սամսոնովիչը։
ակադեմիայի փոխնախագահի
պաշտոնը։ Բազմաթիվ երկրնե– Նա «միամտորեն» գործը ներ­
րի ակադեմիաների պատվավոր կայացրեց այնպես, իբր ոչ թե
ակադեմիկոս էր։ ինքն էուզում օգնել ինձ, այլնրան
ծայրաստիճան անհրաժեշտ է
Նա հեղինակ է ավելի քան հենց իմ օգնությունը։ Այդպես կա­
400 գիտական հրապարա­ րող էր վարվել միայն իսկական,
կումների, մենագրությունների,
դասագրքերի, ուսումնական անկեղծ և նվիրված ընկերը...
ձեռնարկների։ Վերջին տարինե­ Շփվելով էմիլի հետ ես
րին նա «Արմենիկում» հայտնի
դեղամիջոցի մշակման գիտա­ ապշում էի նրա հարազատ լեզվի
կան ղեկավարն էր։ խորը իմացությամբ, ինչին կա­
րող էին նախանձել անգամ շատ
Հարուստ և բազմակողմանի բանասեր-հայագետներ։ Առանց
է եղել ակադեմիկոսի գործու­ որևէ չափազանցության կարելի
նեությունը... Ամբողջը չես պատ­ է ասել, որ նա հիասքանչ տիրա­
մի։ Ահա թե ինչ է գրել նրա մա­ պետում էր գրական հայերենին,►

ԱօՅ. 2010 I ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 49

ՀՐԱԺԵՇՏԻ ՀԱՆԳՐՎԱՆՆԵՐ

ե ս հ ա վ ա տ ա մ ե մ ոչ թ ե
խ ոսքերին և խոստ ա մսերին,
ա յւ կ ե ն ս ա գ ո ր ծ վ ա ծ գ ո ր ծ ե ր ի ն ։

Նա, ո վ վ ի ր ա վ ո ր ո ւմ է, չի հ ի ­
շում, որ վիրա վորա նք է հասց–
րել։ Հիշում է նա , ա մ դա ռնութ­
յա ն են ս/ա տ ճա ոեւ, ք ա ն զ ի ա յն
խ որը սպ ի է թողնում հոգա մ։

►ինչի վկայությունն են նրա բազ­ ամբողջ շարք ասացվածքների Մ ա րմինը կա ր ե փ է շղթ ա յեի
մաթիվ գրքերն ու հոդվածները, զետեղումը։ Ահա դրանցից մի
փայլուն ելույթները։ Այդ սերը քանիսը. ս ա կ ա յն հ ո գ ի ն և մ ի տ ք ը 1 եր–
նա «ներծծել էր», ինչպես ասում
են, մայրական կաթի հետ։ էմիլ րեք։
Գւսբրիելյանի մայրը հայոց լեզ­
վի և գրականության փայլուն ...Վերջին անգամ էմիլին
ուսուցչուհիներից մեկն էր 26 կո­ զանգահարեցի Լոս-Անջելես, ուր
միսարների անվան դպրոցում, նա մեկնել էր բուժման։ Մահվա­
որտեղ, ի դեպ սովորել էին Կա– նից երկու շաբաթ առաջ էր։ Ես
րեն Դեմիրճյւսնը և գրող Վարդ– տեղյակ չէի, որ վիճակն այդքան
գես Պետրոսյանը, ովքեր մշտա­ ծանր է և նենգ հիվանդությունն
պես նրան հիշում էին խորին այլևս անբուժելի է։ Իմ ցանկութ­
երախտագիտությամբ ու սիրով։ յունն էր զրուցել բարեկամիս հետ
և հերթական անգամ կատա­
Շատերը հավանաբար չգի­
տեն էլ, որ էմիլն օժտված էր ե ր ի տ ա ս ա ր դ ո ւթ յա ն ա ր ժ ե ­ կել՝ չէ՞ որ առանց կատակների
գրողի վառ արտահայտված ք ը 1 հ ո գ ա ն մ տ քի ե ր ի տ ա ս ա ր ­ մենք չէինք պատկերացնում մեր
շնորհով, ինչի մասին են վկայում
նրա հրապարակախոսական, դ ո ւթ յա ն ն է։ կյանքը։ Այն մեր շատ ընկերնե­
գիտահանրամատչելի գրքերը և
հատկապես հուշապատումների Ով ջա նքեր է գործա դրում րին հայտնի, հանպատրաստի
ս ե փ ա կա ն ն վ ի ր վա ծ ութ յա ն ն խաղարկումների մի ամբողջ
վերջին գիրքը։ Երբեմն լիրիկա­ ա պ ա ց ա ց ե չա հա մա ր, ն ա Էլ զինանոց էր։ Սակայն հեռախոսը
կան ոգեշնչման պոռթկումների հենց աոաջինն է հա րվա ծ
պահերին ինձ համար կարդում հա սցնում։ լռում էր, պատասխանեց ավտո­
էր իր ոտանավորները, որոնցում մատ օպերատորը։ Ես հասցրե–
օրգանապես միահյուսված էին ցի միայն ասել մի քանի բարի
խորը փիլիսոփայական մտքե­
րը և սրտահույզ մարդկային Տ ղա մա րդկա նց սրտ ից է խոսքեր՝ ցանկանալով շուտա­
զգացմունքները։ ա ր ց ո ւն ք գա փ ս, կ ա ն ա ն ց 1 փույթ ապաքինում։ Ավաղ, ամեն
ինչ շուռ եկավ սարսափելի և
էմիլ Գաբրիելյւսնը հարուստ ա չքերից։
կենսափորձով իմաստացած անուղղելի ողբերգությամբ։

անձնավորություն էր։ Պատա­
հական չէ նրա հուշապատում­
ների՝ «Հատվածներ անցյալից»
գրքի վերջում հեղինակի մի

50 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | Ւ1չ Յ. 2010

ՀՐԱԺԵՇՏԻ ՀԱՆԳՐՎԱՆՆԵՐ

Հայրս՝ պրոֆեսոր Տիգրան «Գիտության ա շխա ր­
Հախումյւսնը, ակադեմիկոս Հով֊ հում» հանդեսի խ մբա գ­
սեփ Օրրելու մասին իր հիշո­
ղություններում գրել է. «...Անհա­ րակազմը միանում է
վատալի է, որ այլևս մենք երբեք հնչած բոլոր ցավակցութ­
նրան չենք տեսնի, չենք լսի... Եր­
բեք։ Որքան շատ եմ ես արտա­ յուններին և խոնարհվում
սանել այդ սարսափելի բառր, անվանի գիտնականի,
երբ ընդմիշտ մեզնից հեռանում
էին թանկագին բարեկամները, հայրենանասեր քա ղա քա ­
սրտի անփոխարինելի զրուցա­ ցու ու մեծ մարդու շիրիմի
կիցները, և դա միշտ եղել է ծանր
և ցավալի»։ առջև։ա

Իսկապես, որքան ծանր ու ցա­
վալի է արտասանել այդ բառը,
երբ գիտակցում ես, որ, ավւսղ,
երբեք այլևս չենք կարող տեսնել
քե՜զ, թանկագին բարեկամ, զրու­
ցել քեզ հետ, վերհիշել անցած
երիտասարդության խենթ տա­
րիները, տեսնել քո մի քիչ հեգ­
նական, բայց զարմանալիորեն
բարի ժպիտը, ամուր գրկելքեզ, և
հեռանալիս ասել՝ «ցտեսություն»։
Չեմ ասում «հրաժեշտ տալ քեզ»,
քանզի բարեկամին հրաժեշտ չեն

տալիս՝ նա միշտ քեզ հետ է...

ՍԵՄՑՈՆ ՀԱԽՈՒՄՑԱՆ

Թարգմանությունը՝ Գւսգիկ
Մխիթարյանի

Ւ՝1°3. 2010 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 51

ԺԱՄԱՆԱԿԱԿԻՑ ՀԱՍՄԻԿ ՊԵՏՐՈՍ0ԱՆ
ՄԵՏԱՂԱԿԱՆ
ԿՈՄՊՈԶԻՏԱ5ՒՆ Տ ե խ ն իկա կա ն գիտ ությունների դոկտ որ,
ՆՅՈՒԹԵՐ պ րոֆ եսոր
Գ ի տ ա կա ն գո րծունե ութ յա ն ոլոր տ ը՝ դիս–
պ ե ր ս ֆ ա զերո վ ա մ րա ցվ ող, կոնստ րուկ–
ց ի ո ն և հ ա կ ա շփ ա կ ա ն ն շա նա կո ւթ յա ն
բա րձրա մուր և ա մրա նա վորվա ծ կոմպ ոզի­
ց ի ո ն նյութերի ս տ ա ց ո ւմ և կ ա ռ ա ց վ ա ծ քա –
գ ո յա ց մ ա ն սկ զբունքների մշա կում։

Է–տ3է1։սո&70@տՅւ1.ա

՝“Լերջին տասնամյակների հե­ նյութերի ստեղծումն է։ Հայտնի է, (ԿՆ) ստեղծումով, որոնցում իրաց­
որ հիմնական բեռնվածությունը վում են բաղադրիչների լավագույն
տազոտությունները ցույց են տվել, կրում են ամրանավորող լարերը,
որ մեխանիկական խառնուրդնե­ հատկությունները։ Այդ առումով
րի հիման վրա տարաբնույթ նյու­ իսկ մայրակը ծառայում է բեռն­ առավել հեռանկարային են մե­
թերի սինթեզումը թույլ է տալիս վածքը լարերին փոխադրելու
ստանալ սկզբունքորեն նոր կոմ­ տաղական հիմքով կոմպոզիտ–
պոզիտային նյութեր բացառիկ համար՝ միաժամանակ այն հա­ ները, որոնք ամրանավորված են
ֆունկցիոնալ հատկություններով։ վասարաչափ բաշխելով լարերի բարձրամոդուլ լարերով կամ մե–
Այսպիսի կոմպոզիցիաները հիբ­ միջև։ Այսպիսի նյութերում ճաքի տաղալարերով։
րիդային նյութերի հատուկ դաս են գոյացումը և տարածումը զուրկ
և միմյանցից տարբերվում են հե­ է որոշակի մեխանիզմից, ճաքը Մետաղական հիմքով կոմ­
տերոգեն կառուցվածքներով։ մարվում էպլաստիկ մայրակում։ պոզիտային նյութերի ստացման
հիմնական խոչընդոտներն են.
Նյութերի կարծրության և Անհրաժեշտ համալիր հատ­
• մայրակ-մետաղալար համակց­
ամրության օ=ք(ԱՃ) արժեքների կություններ կարելի է ստանալ ման խնդիրը, որը դիտվում է
միայն կոմպոզիտային նյութերի որպես լարի և մայրակի միջև
բարձրացումը ոչ միշտ է նպա­

տակահարմար։ «Ամրություն–
կարծրություն» համադրումը

հանգեցնում է նյութի փխրուն
քայքայմանը, ինչը նշանակում

է, որ ամրությունը և կարծրութ­

յունը ֆունկցիոնալ տեսակետից

անհամատեղելի են պլաստի­

կության հետ, հետևաբար կարող

են աճել միայն պլաստիկութ­

յան, ինչպես նաև հարվածա­
յին մածուցիկության իջեցմանը

զուգընթաց։ Անկասկած, մեքե­
նամասերում և մետաղական

կոնստրուկցիաների տարրերում

հարցի նմանօրինակ լուծումը ըն­

դունելի չէ։
Խնդրի լուծման միակ ուղին

բարձրամոդուլ մետաղալարերով
ամրանավորված կոմպոզիտային

52 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | ՒՎՏ3. 2010

ՆՅՈՒԹԱԳԻՏՈՒԹՅՈՒՆ

ամուր կապի ապահովման

գրավական, ինչպես նաև բա­

ժանման սահմանում անցան–

կալքյ ֆիգիկաքիմիական գոր­

ծընթացների տարածման

նախազգուշացում,

• ամրանավորող ֆազի հավա­

սարաչափ վերաբաշխման

ապահովումը,

• կոմպոգիտային նյութերից

պատրաստված շինվածքնե­

րի և կիսաֆաբրիկանտների

ստացման տեխնոլոգիական

հիմնախնդիրները։

Այս առումով նախաձեռնութ­

յունը փոշեմետալուրգիայինն է,

որը համարվում է մետաղական ների ընդհանուր օրինաչափութ­
յունները։ Մշակվել և արտադրութ­
հիմքով ամրանավորված կոմ– թելանման միաբյուրեղներ։ Այդ­
յուն են ներդրվել կերամիկական և պիսի համակցման արդյուն­
պոզիտային նյութերի ստացման մետաղալարային բաղադրիչնե­ քում առավելագույն ամրութ­
րով ամրանավորված կոմպոզի– յունը համատեղվում է բարձր
առավել հեռանկարային բնագա­ տային նյութեր, որոնց հիմնական առաձգականության մոդուլի և ոչ
սպառողը ավիացիոն և տրանս­ մեծ խտության հետ։
վառ։ Այստեղ տեխնոլոգիական պորտային տեխնիկան է, ինչպես
Մետաղական հիմքով կոմպո–
գործընթացներն իրականացվում նաև մեքենաշինական ձեռնար­
կությունները։ զիտները բաղկացած են մետա­
են ձևավորման ոչ սովորական ղական մայրակից (հատկապես
Կոմպոզիտւսյին նյութերը,
մեթոդներով, հատկապես դինա­ ըստ էության, XXI դարի նյութեր Ճ1, ա և դրանց համաձուլ­
են. դրանց ստեղծման հիմքն են վածքները) ամրանավորված
միկ տաք մամլումով, տաք գլա­ մետաղների ֆիզիկայի և նյութա­ բարձրամուր թելերով (լարանման

նումով, իմպուլսային մամլումով, գիտության XX դարի նորագույն նյութեր) կամ դժվարահալ նուրբ
ձեռքբերումները, որոնց շնորհիվ դիսպերս մասնիկներով, որոնք
արտամղումով (էքստրուգիա), հանգամանորեն բացահայտվե– չեն լուծվում հիմնական մետաղում
ցին մետաղների պլաստիկութ­
որոնք ապահովում են հոծ կա– յան ու ամրության զարգացման (դիսպերս ամրացվող նյութեր)։
պատճառները և սկսվեցին բարձ­ Հիմնական բաղադրիչը մայ–
ռուցվածքագոյացում։ Այստեղ
րամուր նոր նյութերի ստացման րակն է, որն իր հետ կապակցում
որոշակի հետաքրքրություն է անընդմեջ մշակումները, որոնց էամրանավորող թելերը կամ մաս­
ամրային բնութագրերը շատ նիկները, ապահովում էշինվածքի
ներկայացնում տաք արտամղու­ դեպքերում մի քանի անգամ ձևը, դրա միաձուլությունը, ջերմա­
գերազանցում են սովորական հա­
մը, որի ժամանակ ապահովվում մաձուլվածքները։ ֆիզիկական, էլեկտրա– և ռադիո­
տեխնիկական հատկությունները,
է առավելագույն դեֆորմացիա Գոյություն ունի համակցված հերմետիկությունը, քիմիական
նյութերի ստացման երկու հե­ կայունությունը, ինչպես նաև լա­
(6=60...90%), մինչդեռ ստատիկ և ռանկարային ուղի՝ ամրացում մե­ րումների բաշխումն ամրանավո­
տաղաթելերով և պինդ դիսպերս րող թելերի միջև։
դինամիկ մամլումների ժամանակ մասնիկներով։ Առաջին դեպքում
մետաղական, անօրգանական Որպես մայրակի նյութ՝ օգտա­
այն չի գերացանցում 15-20%-ը։ գործվում են տարբեր մետաղներ
կամ օրգանական մայրակ ներ­ (ձ1, հ/1ց և դրանց համաձուլվածք­
ՀՊՃՀ «Մետալուրգիա և նյու­ մուծվում են բարձրամուր ապակ­ ները), պոլիմերներ (էպօքսիդային,
յա, ածխե, բորային, բերիլիու– ֆենոլֆորմալդեհիդային խեժեր),
թագիտություն» գիտական լաբո­ մային, պողպատե թելեր կամ կերամիկական ածխե նյութեր։

րատորիայում մշակվել է փոշեն­ Ամրանավորող բաղադրիչն

յութերի արտամղման լավագույն ամրացնող ֆազն է, որը, իր վրսփ

տեխնոլոգիան, որի յուրահատ­

կությունը մամլման և եռակալման

համակցումն է, ինչպես նաև տաք

արտամղման և ջերմամեխանի–

կական մշակումը (ՋՄՄ)։

Վերջին տասնամյակում

որոշակի հաջողություններ են

գրանցվել ընդհատվող լարերով

ամրանավորված կոմպոգիտա–

յին նյութերի տեսական հետազո­

տություններում և փորձարարա­

կան ոլորտում։ Մշակվել են դրանց

կառուցվածքների և հատկություն­

Տ|օՅ. 2010 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 53

ՆՅՈՒԹԱԳԻՏՈՒԹՅՈՒՆ

► վերցնելով բեռնվածության մեծ ման կոմպոզիտների ամրությունը,
մասը, բնորոշում է կոմպոզիտա­
յին նյութի առաձգականության մո­ բնականաբար, պայմանավոր­
դուլը, կարծրությունը, ինպես նաև
շփական, մագնիսական, ջերմա­ ված է թելերի հատկություններով,
ֆիզիկական և էլեկտրական հատ­
կությունները։ Որպես ամրանավո­ մասնավորապես դրանց ամրութ­
րող տարրեր՝ օգտագործվում են
բարակ (մի քանի մկմ տրամագ­ յամբ և առաձգականության մո­
ծով) մետաղալարեր՝ պատրաստ­
ված բարձրամուր պողպատ­ դուլով, որոնք պետք է զգալիորեն
ներից, վոլֆրամից, տիտանից,
ինչպես նաև ապակեթելեր, ած– գերազանցեն մայրակի նյութի հա­
խե, բորային և թելանման բյուրե–
ղիկներ (օքսիդներ, կարբիդներ, մապատասխան ցուցանիշները։
բորիդներ, նիտրիդներ) և այլն։
Կոմպոզիտներ (նկ.1) կարելի է Ալյումինի, մագնեզիումի և
ստանալ հեղուկ մայրակով ամրա­
նավորող բաղադրիչների տոգոր­ դրանց համածուլվածքների
ման միջոցով, մայրակի նյութով
ամրանավորման համար օգ­
լարերի պլազմային ծածկապատ­
ման, էլեկտրաքիմիական, հեղուկ տագործվում են բորաթելեր
մայրակում դժվարահալ ամրա­
նավորող թելերի լցման, մամլման (ծ տ= 2500–Ւ3500ՄՊա) և ածխա–
և եռակալման եղանակներով։
թելեր (ճ՛–2500–^3500ՀՊա) և
Թելանման կոմպոզիտային
նյութեր։ Ըստ ամրանավորման ածխաթելեր(Ծ6=1400–^3500մՊա,
մեխանիզմների՝ թելանման կոմ­
պոզիտային նյութերը բաժան­ .6՚=160^–450ՀՊա), ինչպես
վում են երկու խմբի՝ ընդհատվող
նաև բարձր ամրությամբ և
լարերով ամրանավորված (լարի
առաձգականության մոդուլով
I երկարության և ժ տրամագծի
դժվարահալ միացություննե­
հարաբերությունը՝ ^/#«10–ւ103)
ու անընդհատ լարերով ամրա­ րի (կարբիդների, նիտրիդների,

նավորված (1/Ժ&օօ)։ Հաճախ կոմ­ բորիդների, օքսիդների) թելեր։

պոզիտային նյութերը շերտավոր Այսպես՝ 100 մկմ տրամագծով
կառուցվածքներ են, որտեղ մայ­
րակի յուրաքանչյուր շերտ ամրա­ սիլիցիումի կարբիդի (ՏւՕ) թե­
նավորված է միմյանց զուգահեռ
բազմաթիվ անընդհատ թելերով։ լերն ունեն օ6= 2500^3500ԱՊա

Կոմպոզիտային նյութերը սո­ և .6=450 ՀՊա։ Հաճախ ամրա­
վորական համաձուլվածքներից
առանձնանում են ժամանակավոր նավորման համար օգտագործ­
դիմադրության, բեռնունակության
(50-100%), առաձգականության վում են բարձրամուր պողպատե
մոդուլի, կոշտության գործակցի
լարեր։ Տիտանի և նրա համա­
(8/ք) առավելբարձր արժեքներով
ևցածր ճաքագոյացմւսմբ։ Կոմպո­ ձուլվածքների ամրանավորման Նկ.2. ՜Ո–)/\Ր ա մ ր ա ն ա վ ո ր վ ա ծ կ ո մ պ ո ­
զիտային նյութերը բարձրացնում զ ի տ ա յի ն նյութի կ ա ո ո ւց վ ա ծ քը , 12,5%
են կոնստրուկցիաների կոշտութ­ համար հաճախ օգտագործվում \/\/*–ի լա ր ի պ ա ր ո ւն ա կ ո ւթ յա մ բ (ճ400). ա )
յունը՝ միաժամանակ նվազեցնե­ 1150°Շ–ում 1 ժ ա մ ե ռ ա կ ա լո ւմ ի ց և ճ=4
լով մետաղատարությունը։ Թելան­ են մոլիբդենի, վոլֆրամի լարեր, ա ր տ ա մ ղ ո ւմ ի ց հե տ ո, բ) 1150°–ում 0,5
ժ ա մ եռա կա լումի ց և ճ=4 ա ր տ ա մ ղ ումի ց
շափյուղյա, սիլիցիումի կարբիդի
հետ ո։
և տիտանի բորիդի թելեր (նկ.2)։

54 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | Տ1°3. 201 0

ՆՅՈՒԹԱԳԻՏՈՒԹՅՈՒՆ

Նիկելային համաձուլվածքների մային և տիտանային համա­ զիտւսյին նյութեր։ Ի տարբերութ­

հրակայունության բարձրացման ձուլվածքների ամրանավորումը յուն թելանման կոմպոզիտների՝
համար դրանք ամրանավորվում բորաթելերով, սիլիցիումի կարբի­ դիսպերս կարծրացվող կոմպո–
են վոլֆրամի կամ մոլիբդենի լա­ դի, տիտանի դիբորիդի և ալյու­ զիտներումմայրակը բեռնվածութ­
րերով։ Մետաղական լարը, որ­
պես ամրանավորող բաղադրիչ, մինի օքսիդի անընդհատ թելե­ յունը կրող հիմնական բաղադրիչն
կիրառվում է այն դեպքում, երբ րով զգալիորեն բարձրացնում է է, որոնցում դիսպերս մասնիկնե­
կոմպոզիտային նյութերի հրամ– րը խոչընդոտում են դիսլոկացիոն
կոմպոզիտային նյութից պա­
հանջվում է բարձր ջերմա– և րությունը, որը կոմպոզիտային շարժումը։ Կոմպոզիտի բարձր
էլեկտրահաղորդականություն։ նյութերի կարևորագույն հատ­ ամրությունը ձեռք է բերվում մաս­
Բարձրամուր և բւսրձրամոդուլ կանիշներից է։ Կոմպոզիտային նիկների 10-500 նմ և դրանց
նյութերի հիմնական թերությունը միջև 100-500 նմ հեռավորության
կոմպոզիտային նյութերի ստաց­
ման համար, որպես ամրանա­ միւս և երկչափ ամրանավորման արժեքների դեպքում, երբ դրանց
վորող բաղադրիչներ, հաճախ դեպքում միջշերտային սահքի բաշխումը մայրակի նյութում հա­
կիրառվում են թելանման բյու­ և ընդլայնական խզման փոքր վասարաչափ է։ Ամրությունը և
րեղները (ալյումինի օքսիդի և
նիտրիդի, սիլիցիումի կարբիդի և դիմադրողականությունն է, որից հրամրությունը, կախված դիս­
զերծ են ծավալային ամրանավո– պերս մասնիկների ծավալային
նիտրիդի, բորի կարբիդի Լ այլն), րումով կոմպոզիտային նյութերը պարունակությունից, չեն ենթարկ­

որոնց ծ = 1500&–28000ՄՊւս և (եկ 3)։ վում ադիտիվության օրենքին։
Դիսպերս ամրացվող կոմպո-
ճ=400+600ՀՊա։
Աղյուսակում բերված են մի Նկ.Յ. Ա մ ր ա ն ա վ ո ր վ ա ծ կ ո մ պ ո զ ի տ ա յի ն կ ո ն ս տ ր ո ւկ ց ի ո ն մ ե ք ե ն ա մ ա ս ե ր ։

շարք մետաղական հիմքերով
կոմպոզիտային նյութերի մեխա­

նիկական հատկությունները։
Մետաղական հիմքերով կոմ­

պոզիտային նյութերը (ԱԿՆ) ցու­

ցաբերում են բարձր ամրություն

(օ^Ծ յ), հրւսմրություն Ա միաժա­
մանակ ցածր պլաստիկություն։
Լարերի առկայությունը կոմպոզի­
տային նյութերում խոչընդոտում

է ճաքերի զարգացումը, որոնք
սկիզբ են աոնում մայրակում,
և ամբողջությամբ վերանում է

փխրուն քայքայման վտանգը։
Ալյումինային, մազնեզիու–

Մ ետաղական հիմքով կոմպո<փտային նյութերի մեխա նիկա կա ն հատկությունները

ա մրութ­ հոգնածու­ առաձգ. ծտ/ ն
յուն, մոդուլ, տես.
Նյութը ՄՊա թյան ամրութ­ կոշտութ­
բոր-ալյումին (8ճձ–1ձ) ամրություն, ՀՊա յուն
յուն
ՄՊա

1300 600 220 500 84.6

բոր-մագնեզիում (6&Ւ1-1) 1300 500 220 590 100

ալ|ումին–ածխածին(6ճ7 -1) 900 300 220 450 100

ալյումին-պողպատ (ճձՇ–1ձ) 1700 350 110 370 24,40

նիկել-վոլֆրամ (6ճհ–1) 700 150 - --

►

ՒՕՅ. 2010 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 55

ՆՅՈՒԹԱԳԻՏՈՒԹՅՈՒՆ

Նկ.4. Կ ո մ պ ո զ ի տ ա յի ն շ ի ն ա ր ա ր ա կ ա ն ծ ա ծ կ ե ր ։ Նկ.5. Գ ր ա ֆ իտ ե թ ելեր։

►Տարբեր մետաղների համար երկ­ իսկ մեծացնում համաձուլվածք­ ներում։ Ըստ հոգնածային ամրութ­
րորդ ֆազի օպտիմալ բաղադ­ ների ամրությունը։ Ալյումինի օք­ յան՝ ԵԱՓ-երը գերազանցում են
րությունը միարժեք չէ, բայց սո­ սիդի բաղադրությունը Շ^Ո-ում դեֆորմացվող ալյումինային հա­
վորաբար չի գերազանցում 5-10 փոփոխվում է 6-9%(ԵԱՓ-1) մինչև. մաձուլվածքները։
ծավ. %-ը։ 13-18% (ԵԱՓ-3) և ալյումինի
օքսիդի դիսպերս մասնիկնե­ Աեծ հեռանկար ունեն նիկելա­
Որպես ամրանավորող ֆազ րի ավելացմամբ աճում է նյութի յին դիսպերս ամրացվող համա­
կիրառելով կայուն դժվարահալ ամրությունը 300-ից (ԵԱՓ-1)մինչև. ձուլվածքները։ Նիկելի հիմքով 2-3
միացությունները (թորիումի, հաֆ– 400 ՄՊա (ԵԱՓ-3), իսկ հարաբե­ ծավ. % թորիումի օքսիդով կամ
նիրումի օքսիդները, բարդ օքսի– րական երկարացումը նվազում հաֆնիումի երկօքսիդով համա­
դային միացությունները Ահւսզվա– է համապատասխանաբար 8-ից
հողային մետաղները), որոնք չեն ձուլվածքներն ունեն մեծ հրամ–
լուծվում մայրակի նյութում, կարելի մինչև 3%։ Այս նյութերի խտությու­ րություն։ Այդ կոմպոզիտների
նը հավասար է ալյումինի խտութ­ մայրակը՝ 1\1ւ+20%0ո Աւ+15%1\/10,
էապահովել կոմպոզիտային նյու­ յանը, դրանք չեն զիջում ալյումինի 1Տ1ւ+20%Օս և &/1օ–ի V պինդ լու­
թի բարձր ամրությունը՝ մինչև 0,8 հակակոռոզիոն կայունությանը ծույթներն են։ Լայն կիրառություն
֊0,85 1հալ։ Այդ կապակցությամբ և նույնիսկ կարող են փոխարի­ են ստացել նիկել ամրանավոր­
նման կոմպոզիտները հաճախ կի­ նել տիտանին և հակակոռոզիոն ված թորիումի երկօքսիդով, նի­
րառվում են որպես հրամուր նյու– կայուն պողպատներին աշխա­ կել ամրանավորված հաֆնիումի
տանքային 250–500°Շ պայման– երկօքսիդով և 1տ|ւ+20%0 մայրա­
թեր։ կը ամրանավորված թուրիումի օք­
Դիսպերս ամրացված կոմ­
սիդով կոմպոզիտային նյութերը։
պոզիտային նյութերը կարող են Կոմպոզիտային նյութերի կի­
ստացվել տեխնիկայում կիրառ­
վող բազմաթիվ մետաղների և. րառման բնագավառները բա­
համաձուլվածքների հիման վյսս։ վական բազմազան են։ Դրանք
Առավելապես օգտագործե|ի են օգտագործվում են ինքնաթիռա­
շինության, տիեզերական տեխ­
ալյումինային համաձուլվածքնե­ նիկայի, լեռնային արդյունաբե­
րը՝ ԵԱՓ (եռակալված ալյումի­ րության, շինարարության մեջ և
նային փոշի)։ ԵԱՓ-ը բաղկացած տնտեսության այլ բնագավառնե­
է ալյումինի և ալյումինի օքսիդի րում (նկ.4)։
դիսպերս մասնիկներից։ Ալյումի­
նի օքսիդի մասնիկներն արդյու­ Կոմպոզիտային նյութերի կի­
նավետ կանխարգելում են դիսլո– րառումն ապահովում է որա­
կացիաների շարժումը և դրանով կական նոր թռիչք շարժիչնե–

56 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | ԱտՅ. 2010

ՆՅՈՒԹԱԳԻՏՈՒ՛ԹՅՈՒՆ

պտուտակներ)։ Դրանցից պատ­ ջերմամեկուսիչ շինվածքների,
ավիացիոն արգելակների սկա­
րաստվում են առանցքակալներ, վառակների, քիմիապես կայուն
ջեռուցիչ պանելներ, սպորտային սարքավորումների և այլնի պատ­
րաստման համար։ Պոլիմերային
գույք, էլեկտրոնային հաշվիչ մե­ հիմքով բորաթելերից շինվածք­
քենաների մասեր։ Բւսրձրամոդուլ ները կիրառվում են ավիացիոն և
կարբոթելերը (նկ. 5) կիրառվում հրթիռային տեխնիկայում (պրո­

են ինքնաթիռաշինության մեջ, ֆիլներ, պանելներ, կոմպրեսոր­
քիմիական արդյունաբերության ների թիակներ, պտուտակների
սարքերում, ռենտգենյան սար­ և ուղղաթիռների տրանսմիսիոն
քավորումներում և այլուր։ Ածխե
մայրակով կարբոթելերը փոխա­ լիսեռներ և այլն)։ Օրգանաթելերը
րինում են տարբեր տեսակի կիրառվում են որպես մեկուսիչներ
գրաֆիտներին։ Կիրառվում են
էլեկտրա– և ռադիո-արդյունաբե–
րությունում, ավիացիոն տեխնի­
կայում։ Դրանցից պատրաստվում
են նաև խողովակներ, տարաներ
ռեակտիվների համար, նավերի
իրանների անջրանցիկ ծածկույթ­
ներ և այլն։»

րի հզորության բարձրացման,
էներգետիկ և տրանսպորտային
սարքերի, մեքենաների ու սար­
քավորումների թեթևակշռության
ապահովման բնագավառներում։
Այդ նյութերով շինվածքների և կի­
սաֆաբրիկատների պատրաստ­
ման տեխնոլոգիաները մշակված
են և դրանցից շատերը ներդրվել

են տարբեր արտադրություննե­
րում։

Բազմաթիվ են նաև ոչ մետա­
ղական մայրակով կոմպոզիտ–

ները, հատկապես պոլիմերային
մայրակով կարբոթելերը, որոնք
օգտագործվում են նւսվւս– և

ավտոմոբիլաշինությունն երում
(արագընթաց մեքենաների թափ­
քեր, հենասարքեր, սանրաձև

ԱօՅ. 2010 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 57

ՄԻԿՐՈԷԼԵԿՏ– ՎԱՀԵ ԲՈՒՆԻԱԹ5ԱՆ
ՐՈՆԻԿԱՑԻ
ԶԱՐԳԱՑՄԱՆ ՀՊ ՃՀ կ ի բ ե ռ ն ե տ ի կ ա յի ֆ ա կուլտ ետ ի « Մ իկրոէլեկտ րո–
ՀԻՄՆԱԿԱՆ ՈՒՂ­ նիկա և կենսա բժշկա կա ն սա րքեր» ա մբիոնի վա րիչ,
ՂՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ տ ե խ ն ի կ ա կ ա ն գի տ ութ յուններ ի դ ո կ տ ո ր , պ ր ոֆ ես որ:
Գ ործունեութ յա ն հ ի մ ն ա կ ա ն ուղղ ութ յո ւն ներն ե ն ՝ կ ի ս ա ­
հ ա ղ ո ր դ չա յի ն ս ա ր քե ր ի ֆ իզիկա , բա րձրջ երմ ա ստ ի –
ճ ա ն ա յի ն գե ր հ ա ղ ո ր դ ի չն ե ր , ֆ ե ռոէլեկ տ րա կա ն և կի­
ս ա հ ա ղ ո ր դ չա յի ն սե ն ս ո ր ն եր, նա նոէլեկտ րոնիկա ։

Տ-ոոՅ՚մ։ VԵսո^^է@Տ6ս^.^տ

ՄԻՍԱԿ ՏՐԱՎԱՋՑԱՆ

Ֆ ի զ ի կ ա մ ա թ ե մ ա տ ի կ ա կ ա ն գի տ ութ յուններ ի թ ե կ ն ա ­
ծու, դ ո ց ե ն տ ։
Գ ործունեութ յա ն հ ի մ ն ա կ ա ն ուղղ ութ յո ւն ներն ե ն ՝ կ ի ս ա ­
հ ա ղ ո ր դ չա յի ն նյութ եր ի և ս ա ր ք ե ր ի տ ե խ ն ո լո գ ի ա , ի ն ­
տ եգրա լ սխ եմ ա նե րի նա խ ա գծում, նա նոէլեկտ րոնիկա ։

Հ֊տօԱ։ տէ^Յ&Յո@տ&սՑ.ՅՌւ

իկրոէլեկտրոնիկան (Մէ) ջություն՝ ներազդելով միմյանց որի հիման վրա ձևավորվում են
ժամանակակից գիտատեխնի­ վրա և փոխադարձաբար լրացնե­ էլեկտրոնային համակարգերի
կական առաջընթացի գլխավոր լով մեկը մյուսին։ էլեկտրական սխեմաները։ Նոր
ուղղություններից է և կարևոր տարրային հենքի՝ ինտեգրալ
ազդեցություն ունի տնտեսության ժամանակակից ռադիոէլեկտ– սխեմաների (ԻՍ) օգտագործումն
ու սոցիալական ոլորտի զարգաց­ էլեկտրոնային սարքավորում­
րոնային և տեղեկատվական հա­ ներում հնարավորություն տվեց
ման վրա։ միկրոէլեկտրոնիկան մակարգերն աստիճանական զգալիորեն բարելավել համակար­
արտադրության բազմակողմանի զարգացման ընթացքում անցել գերի զւսնգվածաչափային պա­
ինտենսիվացման առանցքային են մի քանի սերունդներ։ Յու­ րամետրերը, բարձրացավ հուսա­
տեխնոլոգիա է և հիմնականում րաքանչյուր սերնդին բնորոշ է
դրա զարգացման մակարդա­ որոշակի տարրային հենքի օգ­ լիությունը, արագագործությունը,
տագործումը, որի հիման վրա նվազեց հզորության սպառումը։
կով են պայմանավորված տնտե­ նախագծվում և արտադրվում Հատկանշական է, որ չափերի
սական աճի արագ տեմպերն են նշված համակարգերը։ Տար­ փոքրացումն ուղեկցվում է ԻՍ-երի
ամբողջ աշխարհում։ Մէ-ի դերն րային հենքն այն նվազագույն
ու նշանակությունը հատկապես կառուցվածքային միավորն է, ֆունկցիոնալ բնութագրերի լա–
կարևորվում են տեղեկատվա­

կան և հեռահաղորդակցության
տեխնոլոգիաների աննախադեպ
զարգացման և կիրառության
ոլորտներում, քանի որ միկրոէ–
լեկտրոնիկան է անմիջականորեն

ստեղծում այդ տեխնոլոգիանե­
րի տարրային հիմքը։ Այս տեսա­

կետից միկրոէլեկտրոնիկան և
տեղեկատվական ու հեռահա–
ղորդակցային տեխնոլոգիաները
ձևավորում են անբաժան ամբող­

58 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ |Ա յՅ. 2010

ՄհԿՐՈԷԼԵԿՏՐՈՆհԿԱ

վացմամբ՝ միաժամանակ նվա­ տակում), ունի էլեկտրականապես րումը, այլ նաև պատրաստման
զում Էպատրաստման ինքնարժե– միավորված (ինտեգրված) տար­ տեխնոլոգիայի լրիվ կամ մասնա­
քը։ րերի բարձր խտություն։ Այն կա­ կի միավորումը։ ՒՍ-երի աշխա­
րելի է դիտարկել որպես անբա­
ՄիկրոԷլեկտրոնիկան ներա­ ժան հավաքական միավոր։ տանքի հիմքում, ինչպես և դիսկ–
ռում Է ՒՍ-երի և միկրոէլեկտրո– Ներքին կառուցվածքի տեսակե­ րետ էլեկտրոնիկայում, ընկած են
տից ԻՍ-ը կիսահաղորդիչ կամ ազդանշանների ձևափոխման ու
նային սարքավորումների նախա­ մեկուսիչ հարթակի մակերևույ­ մշակման սխեմատեխնիկական
գծումը, կոնստրուկտավորումը, թին կամ ծավալում տեղաբաշխ­ սկզբունքները։ Այս տեսանկյունից
արտադրությունը, ինչպես նաև ված բազմաթիվ էլեկտրոնային ՒՍ-երը տարբերվում են դիսկրետ
գիտագործնական հետազո­ տարրերի ու բաղադրամասերի էլեկտրոնային սարքերից կոնստ–
տությունները։ Մէ-ն հիմնված ամբողջություն է։ հնտեգրալային րուկտորատեխնոլոգիական իրա­
է պինդմարմնային ֆիզիկայի, տերմինն արտացոլում է ոչ միայն
նյութագիտության, միկրոսխե– տարրերի կոնստրուկտիվ միավո­ կանացման կատարելագործված
մատեխնիկայի, միկրոտեխնո– տարբերակներով (նկ.1):

լոգիաների և համակարգչային ՒՍ-երի առանձին դաս եէ>
տեխնիկայի ոլորտներում

բերված նվաճումների վրա։

ժամանակակից միկրոէ– Օս կամ Ճ1
լեկտրոնիկայի հիմնական

արդյունքը ինտեգրացման

շատ բարձր աստիճան ու­

նեցող ինտեգրալ սխեմա­

ներն են (գերմեծ ինտեգրալ Մեկու­
սխեմաներ՝ ԳՄԻՍ)։ Ինտեգ­ սացում
րալ սխեման միկրոէլեկտ–

րոնային սարք է, որը կա­ Մուտք Հարթակ Տրանզիստոր Ռեզիստոր
տարում է էլեկտրական

ազդանշանների որոշակի Նկ. 1. է լե կ տ ր ա կ ա ն ս խ ե մ ա յի ի ր ա կ ա ն ա ց ո ւմ ը
ՒՍ-ի տ ե ս քո վ ։
ձևափոխում, մշակում և տե­
ղեկատվության հիշում (կու֊

Ա23. 2010 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 59

ՄհԿՐՈԷԼԵԿՏՐՈՆՒԿԱ

ա ) 1959 թ. բ) 1ոէ614004, 1971 թ. գ) Բ&ոԱստ 4, 2002 թ.

Նկ.2. Տ ա րբեր սերունդն երի ի ն տ ե գ ր ա լ ս խ ե մ ա ն ե ր ը ։

►ֆունկցիոնալ սխեմաները, որոն­ 2250 տրանզիստոր, հաճախութ­ յունից շատ կարևոր և պիտանի
ցում ազդանշանների ձևափոխ­ կառուցվածքների ելքի տոկոսը,
ման սկզբունքները հիմնված են յունը՝ 108 կՀց և պատրաստված
Էր 10 մկմ տեխնոլոգիական հիմ­ ինչը ազդում Է ինքնարժեքի վրա։
պինդ մարմնում ընթացող ֆիզի­ քի վրա։ Արդեն 2002թ. մշակված Սա ՄԷ-ի հիմնարար սկզբունքն է.
ԲՑոէւստ 4 միկրոպրոցեսորը (եկ. տարրերի չափերի փոքրացումը
կական, քիմիական, մագնիսա­
կան, օպտիկական, քվանտամե­ 2 գ) հնարավորություն տվեց մեկ հանգեցնում է ՒՍ-երի ֆունկցիո­
խանիկական և այլ երևույթների բյուրեղի ծավալում (չիփում) ստեղ­
վրա։ Ներկայումս միկրոէլեկտրո– ծել բազմամիլիոն միկրոսարքեր և նալ և էլեկտրական պարամետրե­
նիկան հասել է զարգացման շատ միջմիացումներ։ րի լավացմանը և գլխավորապես
բարձր մակարդակի։ Միկրոէլեկ– ինքնարժեքի իջեցմանը։
ՒՍ-երի արտադրության հիմ­
տրոնիկայի ծնունդը կարելի է հա­ նական նպատակն եղել և մնում ժամանակի ընթացքում ԻՍ-
մարել 1959 թ., երբ ամերիկացի Է սխեմաների նախագծումն ու երի ինտեգրացման աստիճա­
նի փոփոխության միտումներն
գիտնական, (հետագայում նոբել– պատրաստումը, որոնք կունե­
յան մրցանակակիր) Ջ.Քիլբին պա­ նան ամենաբարձր ֆունկցիոնալ ենթարկվում են Մուռի կանխատե­
և շահագործման բնութագրեր՝ սող կիսափորձնական օրենքին
տենտավորեց ինտեգրալ սխեմա­ միաժամանակ հնարավոր նվա­ (Գ. Մուռը 1960-ական թվական­
յի գաղափարը, որի համաձայն զագույն ինքնարժեքով։ 90-ական ների կեսերից ԻՍ-եր արտադրող
կիսահաղորդչային մեկ բյուրեղի
թվականներից սիլիցիումային ամերիկյան հայտնի 1ոէ©1 ֆիր­
մեջ ձևավորվում (ինտեգրվում) է ՒՍ-երի ամենատարածված միմ­ մայի հիմնադիրներից Է)։ Հա­
մաձայն այդ օրենքի՝ 1960 թ.
ամբողջական էլեկտրոնային սխե­ յանց լրացնող (կոմպլեմենտար)
ման (նկ. 2)։ մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ տրանզիստորների թիվը ԻՍ-ում
(ԿՄՕԿ)սխեմաների գլխավոր բնու­ կրկնապատկվում Էր յուրաքանչ­
Առաջարկված առաջին ԻՍ-ը թագրական չափանիշներն եղել և
(նկ. 2ա) գերմանիումի բյուրեղի մնում են արագագործությունը, յուր 18 ամիսը մեկ։ ժամանակա­
ծավալում միավորված, մինչև տա­ ցրման հզորությունը և ինտեգ­ կից ԳՄՒՍ-երում կրկնապատկման
սը էլեկտրոնային տարր պարու­ րացման խտությունը։ Բնութագ­
նակող, ք^Շկապերով պարզ տրի­ տեմպերը դանդաղում են՝ տեղի
զեր էր։ էլեկտրոնային սխեմաների րերի բարելավման հիմնական ունենալով արդեն 24 ամիսը մեկ։
կապակցող օղակը չափերի Նկ. 3-ում ցույց Է տրված ԻՍ-ում
ձևավորման (սինթեզման) հենց տրանզիստորների թվի փոփոխ­
այս սկզբունքը դարձավ ինտեգ– փոքրացումն Է։ Ավելի փոքր չա­ ման ընթացքն ըստ տարիների
փերով սարքերն ապահովում են
րալային էլեկտրոնիկայի զարգաց­ կրկնակի առավելություն, այն Է՝ (Մուռի առաջին օրենք)։ Ըստ Էքս–
ման հիմնաքարը։ Առաջին 1ոէ61 փոքրանում են բյուրեղի չափերը պոնենտի օրենքի՝ ժամանակի
(ավե|ի շատ չիփեր մեկ սիլիցիու–
4004 միկրոպրոցեսորը (նկ. 2բ) ընթացքում փոփոխվում են նաև
մշակվեց 1971 թ., ինչը դարձավ մային թիթեղի վրա), և բարձրա­ հՍ-ի տարրերի բնութագրական
նում Է արտադրության տեսանկ­
ինտեգրալային Էլեկտրոնիկայի չափերը։ Այս միտումները շարու­
նոր դարաշրջանի սկիզբը։ Միկ­ նակվում են առ այսօր։ 2000 թ.
րոպրոցեսորը պարունակում Էր (ինչպես հետևում է Մուռի օրեն–

60 I ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | Տ1շՅ. 2010

ՄԻԿՐՈԷԼԵԿՏՐՌեԻԿԱ

քից և արտադրվող հՍ-երի պա­ Աղյուսակ 1-ումբերված են վեր­ րերի թիվը, բարդանում և կա­

րամետրերի փաստացի տվյալ­ ջին տարիների և մոտ ապազյայի տարելագործվում էր ստացման

ներից) ԳՄԻԱ-երը պարունակում համար կանխատեսվող տվյալնե­ տեխնոլոգիան, իսկ զարգացման
են 10Տ-1Օ8տրանզիստոր, իսկ այս րը ԿՄՕԿ տեխնոլոգիայով պատ­ տեմպերը տպավորիչ էին։ Ինտեգ­

օրենքի պահպանման դեպքում րաստված դինամիկ օպերատիվ րացման աստիճանի անընդհատ
արդեն 2009-2010 թթ՝ մեկ մի­ հիշող սարքերի (ԴՕՀՍ, 0 8 ^ ) Ա բարձրացման սկզբունքը դարձավ
զարդ տրանզիստոր։ միկրոպրոցեսորային բջիջների գերակա միկրոէլեկտրոնիկայի

Մուռի օրենքը Տրանզիստորներ հետագա զարգացման համար։
60-ական թվականների առաջին

ԻԱ-երը պարունակում էին 6-10

էլեկտրոնային տարր (տրանզիս­

տոր, դիոդ, ռեզիստոր), որոնք բա­

վարար էին միայն պարզագույն

տրամաբանական ձևափոխում­

ների կատարման համար։ ԻԱ-երը

իրականացվում էին միւսբյուրե–

ղային սիլիցիումի հարթակների

10,000 վրա, առանձին չիփի մակերեսը
մի քանի քառակուսի միլիմետր

էր, իսկ տարրերի նվազագույն

1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 չափերը -10-20 մկմ էին։ ԻՄ-ե֊

Տարիներ րի ստացման հարթային (պլա–

Նկ.Յ. Ի ն տ ե գ ր ա ց մ ա ն ա ս տ ի ճ ա ն ի փ ո փ ո խ մ ա ն ը ն թ ա ց ք ն ը ս տ տ ա ր ի ն ե ր ի ։ նար) տեխնոլոգիայի զարգաց­
ման և կատարելագործման հետ

աճում էր ոչ միայն ինտեգրացման

Իհարկե, որոշ դեպքերում ԻՍ- (ՄՊԲ, Ա1ՐՍ) կամ հանգույցների աստիճանը, այլև ընդլայնվում էին
երի տեխնոլոգիայի արագընթաց համար։ Տարիների տակ նշված Է միկրոէլեկտրոնային արտադրան­
կատարելագործումների շնորհիվ տեխնոլոգիական մակարդակը, քի ծավալներն ու տեսականին։
զարգացման տեմպերը դառնում որը բնութագրում Է հՍ-ի հնարա­
են ավելի կտրուկ։ Հարկ է նշել վոր նվազագույն տոպոլոգիական Արդեն 70-ական թվականների
նաև, որ ԳՄՒՍ-ի ստացումը ոչ սկզբին ինտեգրացման աստի­
չափը, օրինակ՝ ԿՄՕԿ տրանզիս­ ճանը դարձավ 103, 1976 թ.՝ 104,
այնքան քանակական անցում տորի համար տրանզիստորի փա­ իսկ 2000 թ.՝ 107 և ավե|ի։ Վեր–
էր, որքան տեխնոլոգիական՝ ջին 40 տարիներին ինտեգրա–
տարրերի հատկությունների, կանի երկարությունը։ լային տրանզիստորները «նա­
Աղյուսակ 1

սխեմատեխնիկայի և նախագծ­ Ինտեգրալ սխեմաների հիմնական պարամետրերն ըստ տարիների

ման եղանակների որակական Տարի/տեխնոլոգիա 1997 1999 2002 2005 2008 2010
նոր մակարդակի ապահովում։ 250 նմ 180նմ 130նմ 100նմ 70 նմ 50 նմ
Բացի այդ՝ ԳՄԻՍ-երի մշակումը

հնարավորություն տվեց ստանալ ԴՕՀՍ ֊բիթ 2561Ա 10 40 160 640 2560

բարձր ֆունկցիոնալ բնութագրե­ ՄՊԲ, 3.71Ա 6.21Ա 181Ա 391մ 84ն1 1801Ա
տրանզիստոր/սմ2
րով սարքավորումներ, այսինքն՝
100-600 մմ2 մակերեսով սիլի–

ցիումային բյուրեղի (չիփի) վրա ԴՕՀՍ –ի չափը, մմ2 280 400 560 790 1120 1580
ձևավորվում է ամբողջական հա­

մակարգ ^տէ@տ օո 8 շհւբ), իսկ ՄՊԲ-ի չափը, մմ2 300 340 430 520 620 750
ինտեգրացման խտությունը՝

ՒՍ-ի բյուրեղի միավոր մակերե­

սում տարրերի թիվը, հասել Է ՄԷ-ի զարգացման առաջին խորդների» համեմատ փոքրացել
տասնամյակը (անցած դարի 60– են 100.000 անգամ՝ ըստ գծա­
105–106տրանզիստոր/մմ2։ Կսւրե– ական թվականները) պարզա­ յին չափերի և 1010անգամ՝ ըստ
լի Է ասել, որ կատարվեց անցում պես էվոլյուցիոն էր՝ անընդհատ զանգվածի։ Նկ. 4-ում բերված
ինտեգրալ սխեմաներից դեպի մեծանում էր բյուրեղում տար­ են ժամանակակից միկրոպրոցե-Ւ
ինտեգրալ համակարգեր։

Ւ1ՏՅ. 2 0 1 0 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա Ր ՀՈ Ւ Մ | 61

ՄՒԿՐՈԷԼԵԿՏՐՈեհԿԱ

Նկ.4. Ն վա զա գույն բ ն ո ր ո շ չա փ ե ր ի փ ո փ ոխ ութ յունն ը ս տ տ ա ր ի ն ե ր ի ։ Նկ. 5. Ի ն տ ե գ ր ա ց մ ա ն խ տ ո ւթ յա ն փ ո փ ոխ ութ յունն ը ս տ տ ա ր ի ն ե ր ի ։

կսորային և դինամիկ օպերատիվ խությունը հասել էր 100ՄՀց։ 1993 րունակում Էր երեք հարյուր միլիոն
հիշողության ԻՍ-երի տարրերի թ. միկրոպրոցեսորային տեխնի­ տրանզիստոր, որոնք ձևավորում
բնորոշ չափերի, իսկ նկ. 5-ում՝ կայում սկսվեց ենթամիկրոնային
ինտեգրացման խտության (նե­ (սուբմիկրոնային) գերմեծ ԻՍ–ե– են պրոցեսորի երկու հաշվիչ մի­
րառելով մասնագիտացված հՍ– րի դարաշրջանը։ Այդ թվականին ջուկներն ու այլ հանգույցները և
ը՝ ԿՒՍ) փոփոխման կորերն՝ ըստ էլ Iոէտ1–ը թողւսրկեց նոր սերնդի տեղաբաշխված են հարթակի
արտադրության տարիների և 32 կարգանի ԲօոէԽա պրոցեսո­ 143 մմ2մակերեսի վրա։ Կենտրո­
մինչև 2012 թ. սպասվելիք կան­ նական պրոցեսորը ներառում Է
խատեսումների։ րը, որի բյուրեղը պարունակում նախորդ սերնդի պրոցեսորների
Էր 3,1 մլն տրանզիստոր՝ 0,8 մկմ (Բտոէւստ 3-ի և Բշոէաոո 4-ի) բոլոր
Հետաքրքիր է Մէ-ի բնորոշ չափերով և 66 ՄՀց հա­
առաջընթացին հետևել հիշողութ­ դրական որակները, ինչպես նաև
յան ևմիկրոպրոցեսորային ՒՍ-երի ճախությամբ։ 1997-98թթ. ստեղծ­ մի շարք նոր տեխնոլոգիաներ։
վեց Բ@ոէԽտ2 պրոցեսորը՝ 7,5մլն Ներկայումս արտադրվող պրոցե­
զարգացման օրինակով։ Սիկրո– տրանգիսւոորով արդեն 0,25 մկմ
էլեկտրոնիկայի և համակարգչա­ տեխնոլոգիայով, 400 ՄՀց տակ­ սորների 1ոէ@1Շօր617տարբերակն
յին տեխնիկայի պատմության մեջ ունի չորս միջուկ և համարվում Է
աննախադեպ երևույթ դարձավ տային հաճախությամբ։ 1999 թ. անհատական համակարգիչնե­
1978 թ. 8086 միկրոպրոցեսորի մշակված Բ Ց Ո էա տ 3-ը պարունա­ րի ամենակատարյալ կենտրոնա­
կան պրոցեսորը։ Աղյուսակ 2-ում
թողարկումը։ Այն 33 մմ2մակերե­ կում Էր 8,5 մլն տրանզիստոր, հա­ բերված են վերջին տարիներին
սով սիլիցիումային բյուրեղի վրա ճախությունը 450 ՄՀց, իսկ 0,18 արտադրվող պրոցեսորների որոշ
պարունակում էր 5 մկմ բնորոշ մկմ տեխնոլոգիայի դեպքում նաև
չափերով 29000 տրանզիստոր 850 ՄՀց տակտային հաճախութ­ բնութագրեր։ Այս աննախադեպ
յամբ։ 2000 թ. ստեղծվեց Բշոէւստ հաջողությունները գլխավորա­
և աշխատում էր 5 ՄՀց տակտա­ 4 պրոցեսորը, որը պարունակում պես պայմանավորված են ՒՍ-երի
յին հաճախությամբ։ Այդ բյուրեղի Էր 0,18 մկմ բնորոշ չափերով 42 արտադրության տեխնոլոգիա­
8088 տարատեսակը 1981 թ-ին մլն տրանզիստոր և 1,5ԳՀց տակ­ կան եղանակների, սարքավո­
դարձավ 16Ա1 ԲՇ դասի առաջին րումների, սարքերի կառուցվածք­
համակարգչի հիմքը։ 1982 թ. թո­ տային հաճախությամբ, իսկ 0,13 ների, ինչպես նաև համակարգչի
ղարկվեց 16 կարգանի 80286 մկմ տեխնոլոգիան օգտագոր­
պրոցեսորը, որը պարունակում ծելուց հետո՝ 2 ԳՀց-ից բարձր։ ճարտարապետության կատա–
րելագործմամբ։ Պարզ գնահա­
էր 3 մկմ բնորոշ չափերով 134000 Այնուհետև նույն 2000 թ. 1ոէ@1–ում տումները ցույց են տալիս, որ եթե
ստեղծվեց նաև 64 կարգանի հե­ ժամանակակից գերմեծ ինտեգ­
տրանզիստոր։ 1985 թ. թողարկ­ ռանկարային Ո7\|տ|1Լա միկրոպ­ րալ սխեմաները պատրաստվեն
վեց 32կարգանի 386պրոցեսորը՝ միկրոէլեկտրոնիկայի զարգաց­
2 մկմ բնորոշ չափերով և 275000 րոցեսորը։ Տարիների ընթացքում ման սկզբնական փուլին բնորոշ
տրանզիստորներով, 1989 թ.–ին՝ տեղի են ունենում պրոցեսորների տեխնոլոգիական մակարդակով,
486 միկրոպրոցեսորը՝ 1,2 մլն. բնութագրերի զգալի բարելավում­ ապա այդպիսի չիփերը կգրավեն
ներ։ Այսպես՝ 2006 թ. արտադր­
տրանզիստորով և 1,5մկմ բնորոշ վող Շօո9 2 ՕՍՕ պրոցեսորը պա­ մոտավորապես 70մ2մակերես։
չափերով, իսկ տակտային հաճա­

62 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ |ի|շՅ. 2010

ՄԻԿՐՈԷԼԵԿՏՐՈՆԻԿԱ

Աղյուսակ 2
Արտադրվող պրոցեսորների հիմնական բնութագրերը

Մոդելը Տարին Տրանզիս­ Տեխնոլոգիան, Տւսկտային
2006 տորների նմ հաճախությունը
1ոէօ1 00Ր6 2ԾՍՕ
թրվը 65 2,4...2,8 ԳՀց
1ոէօ1Շ0Ր6 17 300000000
(Տ1օօտքւ61ե)
1ոէ©100Ր6 2 ՉԱՁԺ 2008 731000000 45 3,0...3,2 ԳՀց
0^օհժւ61ճ)
2008 840000000 45 2,7...2,9 ԳՀց

ժամանակակից ՒՍ-երի հիմ­ աղյուսակի տվյալներից, Մուռի չային բաղադրամասերի չափերի
օրենքի կանխատեսումները կա­ փոքրացումը և ինտեգրացման
նական պարամետրերի ըն­ աստիճանի բարձրացումը պա­
թացքի վերլուծությունն ըստ րող են տարիների ընթացքում
տարիների, համաձայն Կիսա­ դանդաղել։ Միևնույն ժսւմանակ հանջում են լրացուցիչ կապիտալ
հաղորդչային արտադրության ակնհայտ Է, որ ԻՍ-երի բարդութ­ ներդրումներ գիտական հետազո­
ասոցիացիայի կիսահաղորդիչ­ յան աճի նման միտումները չեն տությունների և արտադրության
ների ճանապարհային քարտեզի կարող երկար շարունակվել։ Ին­
տեգրացման աստիճանի մեծաց­ ոլորտներում։ Համաձայն Մուռի
(Տ6Ոք11Շ0ՈեԱՇէ0Ո 1ոճԱՏէ17 ծՏՏՕՇ1Ձ– ման և տարրերի չափերի փոք­ ուսումնասիրության (1995 թ.), որը
հայտնի Է որպես Մոտի երկրորդ
էւօո ք^օՅեոոՁթքօրՏշտւօօոժսօէօոտ), րացման հետ ավելի ակնհայտ Է օրենք, ինտեգրացման խտութ­
կանխատեսում Է մինչև 2012 թ. դառնում սահմանափակող գոր­
գերմեծ ԻՍ-երում բնութագրական ծոնների ազդեցությունը։ Դրանք յան բարձրացման հետ կապիտալ
չափերի կայուն փոքրացման մի­ ներդրումներն արտադրությունում
առաջին հերթին սիլիցիումի հի­ աճում են (նկ.6)։ Այսպես՝ ԻԱ-երի
տումներ, միաժամանակ ինտեգ­ ման վրա ձևավորվող կառուց­
րացման խտության կայուն աճ։ վածքների թույլատրելի չափերի արտադրության նոր գործարա­
Վերջին 40 տարիներին ԻԱ-երի ֆիզիկական սահմանափակում­ նի արժեքը 1966 թ. 14 միլիոնից
տարրերի նվազագույն բնորոշ չա­ ներն են։ Բացի այդ՝ կիսահաղորդ­ աճել Է մինչև 1,5 միլիարդ դոլար
փերը նվազել են 25 մկմ-ից մինչև 1995թ.։ Արդեն 1998 թ. այն հասել►
0,1 մկմ (250անգամ) ևշատ ավելի
փոքր (2008թ. արտադրությունում Նկ.6. Ա ր տ ա դ ր ո ղ գ ո ր ծ ա ր ա ն ի ա ր ժ ե ք ի փ ո փ ո խ ո ւթ յա ն ն ը ս տ տ ա ր ի ն ե ր ի ։
ներդրվել Է 45նմ և արդեն 32նմ
բնորոշ չափերով տեխնոլոգիան)։ 100 կրկնապատկվում Է
ժամանակակից պրոցեսորային օ ՀՅ տարին մեկ
չիփում ինտեգրված տարրերի թի­
վը գերազանցել Է մեկ միլիարդը, ■Ե
ինչն ապահովվում Է բյուրեղների
2025 թ, թ ի թ ե ղ ի չաւիը– 1.5 մ
մեխանիկական, ֆունկցիոնալ և
ֆիզիկական ինտեգրման գործըն­ մետ ա ղա կա ն մակարդակները-27
թացների կատարելագործմամբ։
Իհարկե, այսպիսի զարգացում­ 04
1990 1995 2000 2005 2010 2015
ների ճանապարհին, մինչև ԿՄՕԿ
տրանզիստորը կհասնի 30նմ-ից ՏԱՐԻՆ
փոքր բնորոշ չափերի և ինտեգ­
րացման խտության 108 տրանզ./
մմ2սահմանին, դեռևս կան բազ­
մաթիվ տեխնոլոգիական, կա­
ռուցվածքային և սխեմւստեխնի–

կական լուծումներ պահանջող
խնդիրներ։ Ինչպես երևում Է

Ա»3. 2010 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | 63

ՄՒԿՐՈԷԼԵԿՏՐՈՆՒԿԱ

^ա* բաժանել երկու հիմնական ղասի. նանոմետրական չափերի անցու­
1) գործարաններ, որոնք նա­
►էր միջինը 3մլրդ դոլարի, այսինքն մով, ինտեգրացման աստիճանի
կրկնապատկվում է յուրաքանչյուր խատեսված են համապիտա– բարձրացումով, հարթային կա­
36 ամիսը մեկ։ Նման միտումների նի ԳՄԻՍ-երի զանգվածային
դեպքում արդեն 2008 թ. հետո կի­ ռուցվածքներից ծավալային կա­
սահաղորդչային ինտեգրալային արտադրության համար (օրինակ՝ ռուցվածքների անցումով և սխե­
տրանզիստորների չափերի փոք­ հիշողության սխեմաներ, միկրո–
րացումը կարող է դառնալ տնտե­ պրոցեսորներ և այլն) բազմամի­ մաների տեխնիկատնտեսական
սապես ոչշահավետ։ Ենթադրվում լիոնքանակներով և 2-3տարինե­ ցուցանիշների լավացումով։ Օգ­
է, որ Մուռի օրենքի իրավացիութ­ րի ընթացքում, տագործելով Մէ-ի ավանդական
յունը հավանաբար կսահմանա­ տեխնոլոգիաները՝ ակնկալվում է,
փակվի առավելագույնը 2011– 2) թողարկման փոքր ծավալ­ որ արդեն 2010-2011 թթ. սարքերի
2013 թթ.։ Ներկայումս արագ ներով և տեսականու հաճախա­
թափով զարգանում Աներդրվում կի փոփոխմամբ գործարաններ սահմանային չափերը կհասնեն 32
են նոր միկրոէլեկտրոնային տեխ­ (փոքր-գործարաններ), որոնք նա­ նմ և ավելի փոքր։ Ինտեգրացման
նոլոգիաներ։ Շատ հեռանկարա­ խատեսված են մասնագիտաց­ աստիճանի բարձրացման այս­
յին են «սիլիցիումգերմանիում» ված ԳՄհՍ-երի լայն տեսականու պիսի արագությունների դեպքում
հետերոանցումային երկբևեռ ՒՍ- արտադրության համար։ անցում կկատարվի գիգամասշ–
երի տեխնոլոգիան, «լարված սի­ տաբային սխեմաների (10® և
լիցիումի», գալիումի արսենիդի, Միկրոէլեկտրոնիկայի ժամա­ ավելի տրանզիստոր մեկ չիփում)։
սիլիցիումի կարբիդի, ինչպես նաև նակակից գործարանը, որի (1- Գիտնականները գտնում են, որ
սիլիցիումը մեկուսիչի վրա (ՍՄՎ) 100) դասի «մաքուր» տարածքնե­ երբ ԿՄՕԿ տրանզիստորի փա­
կառուցվածքների հիման վրա րի մակերեսը 6000-7000մ2է,արժե
տեխնոլոգիական տարբերակնե­ 1,5-2մլրդ. ամերիկյան դոլար։ 200 կանի երկարությունը դառնա 10
րը։ մմ և ավելի տրամագծով սիլիցիու– նմ-ից փոքր, ապա կարելի էխոսել
հետ-ԿՄՕԿ դարաշրջանի մասին։
Այս տեխնոլոգիաները, հատ­ մային թիթեղների ամենամսյա Դա տեղի կունենա մոտ 10-12տա­
կապես ԿՄՕԿ սխեմաների համար մուտքը 6-20 հազար հատ է։ Մո­ րի հետո։ Չիփերի ինտեգրման
ամենաարդյունավետը համար­ տակա 8-10 տարիներին այս նման մասշտաբների աստիճա­
վող ՍՄՎ տարբերակը, աստիճա­ տեսակի գործարանների արժե­ նական անցման ճանապարհին
նաբար դուրս են գալիս շարային քը կարող է աճել տասն անգամ։ կծագեն լուծում պահանջող հիմ­
արտադրության մակարդակ, օգ­ Մասնագիտացված ԳՄԻՍ-երի (թի­ նարար և տեխնիկական բնույթի
տագործվում են ԻՍ-եր արտադ­ թեղների ամենամսյա 100-1000 լուրջ սահմանափակումներ։
րող առաջատար ֆիրմաների քանակությամբ) արտադրության
կողմից և հնարավորություն կտան Վերջին 30-40 տարիներին
մասնակիորեն մեղմել նշված տնտեսական արդյունավետութ­ միկրոէլեկտրոնիկան ձևավորվել
տնտեսական բնույթի սահմանա­ յան ապահովման համար անհ­ է որպես համակարգչային տեխ­
փակումները։ րաժեշտ է նվազեցնել կապիտալ նիկայի, ռադիոէլեկտրոնիկայի
ծախսերը, արտադրության գինը, և ավտոմատացված կառավար­
Չնայած միկրոէլեկտրոնային բարձրացնել տեխնոլոգիական ման համակարգերի ստեղծման
ԳՄԻՍ-երի արտադրության կազ­ սարքավորումների արդյունավե­ հիմնական սխեմատեխնիկա–
մակերպման լուծումների բազ­ տությունը և ԻՍ-երի ելքի տոկոսը։ կան և կոնստրուկտորատեխնո–
մազանությանը՝ տվյալ ոլորտի Այս նպատակներին հասնում են
ձեռնարկությունները կարելի է տեխնոլոգիական գործընթաց­ լոգիական ուղղություն։ ԻՍ-երի
ները կազմակերպելով փոքր օգտագործումը նպաստեց նաև
արտադրության համւպիր ավտո­
գործարանների շրջանակնե­ մատացման հիման վրա աշխա­
րում՝ «մաքուր» արտադրական տանքի արտադրողականության
տարածքների ծավալի կրճատ­ աճին, ճկուն ավտոմատացված
ման, ինչպես նաև վակուումի կամ արտադրությունների, «բանա­
գերմաքուր հսկվող միջավայրե­ կան» մեքենաների, ինտերնետ
րից դուրս կիսահաղորդչային թի­ տեխնոլոգիաների և շարժական
թեղների գտնվելու ժամանակի
կրճատման հաշվին։ Ներկայումս կապի համակարգերի մշակմանն
փոքր-գործարանների արժեքը ուներդրմանը մարդկային գործու­
նեության բոլոր ոլորտներում։ Իր
կազմում է50-120մլն. դոլար։ հերթին այս գործոններով է պայ­
Միկրոէլեկտրոնիկայի հետա­
մանավորված ԻՍ-երի տեխնիկա­
գա առաջընթացը պայմանա­ յի և տեխնոլոգիայի աննախադեպ
վորված է ԻՍ-երում տարրերի կտրուկ զարգացումը»

64 | ԳԻՏՈՒԹՅԱՆ Ա Շ Խ Ա ՐՀՈ Ւ Մ | Ա°2. 2010

• •*: V / * *. • % տ > ՝դ \^ ս շ

^^^ յյ^ ք է Օ ֊;

Գ իտության
ԱՇԽԱՐՀՈՒՄ

• իՏՈՒԹՅԱՆ

ա շ խ ա րհո ւ մ

Գիտության
ԱՇԽԱՐՀՈՒՄ

Գ իտության
Ա Շ Խ Ա Ր Հ ՛Ո Ւ Մ

Բաժանորդագրվելու՝
համար կարող եք
զանգահարել