РадиоЛоцман 2019 №05

Óñîâåðøåíñòâîâàííàÿ
ñõåìà äðàéâåðà

áåëîãî ñâåòîäèîäà
íà ïîëåâîì òðàíçèñòîðå

Dan Awtrey

Electronic Design

Ñîåäèíèâ ñâåòîäèîä è MOSFET îáåäíåííîãî òèïà, ìîæíî ñîçäàòü ýôôåêòèâíûé óïðàâ-
ëÿåìûé äðàéâåð íà îñíîâå èñòî÷íèêà òîêà

ßßðêèì ñâåòîäèîäàì âèäèìîãî äèàïàçîíà à çàâèñèò îò íàïðÿæåíèÿ ïèòàíèÿ è èçìåíÿåò-
ñÿ ñ ïîâûøåíèåì òåìïåðàòóðû ïðè óâåëè÷å-
íóæåí èñòî÷íèê ïîñòîÿííîãî òîêà.  îïèñàí- íèè òîêîâîé íàãðóçêè. Íèçêèé ÊÏÄ ìîæíî óëó÷-
íîé íèæå ïðîñòîé ñõåìå òàêîãî èñòî÷íèêà, íå øèòü, çàìåíèâ ïàññèâíûé ðåçèñòîð àêòèâíûì
ñîçäàþùåé ðàäèîïîìåõ, èñïîëüçóþòñÿ ïðåè- êîìïîíåíòîì èëè ñõåìîé, ñîïðîòèâëåíèå
ìóùåñòâà, ïðåäîñòàâëÿåìûå íîâûìè íîð- êîòîðîé àâòîìàòè÷åñêè ðåãóëèðóåòñÿ, ÷òîáû
ìàëüíî îòêðûòûìè ìîùíûìè MOSFET îáåä- ïîääåðæèâàòü îïðåäåëåííîå çíà÷åíèå òîêà,
íåííîãî òèïà. äàæå ïðè èçìåíåíèÿõ íàïðÿæåíèÿ ïèòàíèÿ
è/èëè íàãðóçêè.
Èñòîðè÷åñêè ïðîñòåéøèì ñïîñîáîì óïðàâ-
ëåíèÿ òàêîé íàãðóçêîé, êàê ñâåòîäèîä, ÿâëÿåò- Âîçìîæíîñòè èñòî÷íèêîâ ïîñòîÿííîãî
ñÿ èñïîëüçîâàíèå ïîñòîÿííîãî èëè ïåðåìåí- òîêà, ïîñòðîåííûõ ñ èñïîëüçîâàíèåì íîð-
íîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ìåæäó èñòî÷íèêîì ïèòà- ìàëüíî îòêðûòûõ ïîëåâûõ òðàíçèñòîðîâ ñ
íèÿ è íàãðóçêîé (Ðèñóíîê 1). Äîñòîèíñòâîì óïðàâëÿþùèì p-n ïåðåõîäîì èëè îáåäíåí-
ýòîé ñõåìû ÿâëÿåòñÿ òîëüêî íèçêàÿ ñòîè- íûõ MOSFET, îãðàíè÷åíû î÷åíü íèçêèìè
ìîñòü, ïîñêîëüêó òîê íå îñòàåòñÿ ïîñòîÿííûì, óðîâíÿìè ìîùíîñòè. Ýòè óñòðîéñòâà óïðàâ-
ëÿþòñÿ íàïðÿæåíèåì, à íå òîêîì, êàê â ñòàðûõ
V+ òðàíçèñòîðàõ ñ áèïîëÿðíûì ïåðåõîäîì. Åñëè
IO ìàëîñèãíàëüíûå ïîëåâûå òðàíçèñòîðû ñ p-n
ïåðåõîäîì äîñòóïíû ñ êàíàëàìè êàê p, òàê è
RCC n òèïîâ, òî íîâûå îáåäíåííûå MOSFET, ñïî-
ñîáíûå óïðàâëÿòü áîëüøèìè òîêàìè, íåîáõî-
Ñâåòîäèîä äèìûìè äëÿ ñèíèõ è áåëûõ ñâåòîäèîäîâ, â
íàñòîÿùåå âðåìÿ îãðàíè÷åíû n-òèïàìè.
Ðèñóíîê 1. Ïðîñòåéøèì ñïîñîáîì çàäàíèÿ
òîêà ñâåòîäèîäà ÿâëÿåòñÿ èñïîëüçîâàíèå  òðàäèöèîííûõ ñõåìàõ èñòî÷íèêîâ òîêà
òîêîîãðàíè÷èòåëüíîãî ðåçèñòîðà. íà îáåäíåííûõ MOSFET (Ðèñóíîê 2) èñïîëü-
çóþòñÿ òîëüêî ÌÎÏ-òðàíçèñòîð è ðåçèñòîð
(ïîñòîÿííûé èëè ïåðåìåííûé). Òîê, ïðîõîäÿ-

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 51

V+ íèÿ òîêîì ñ ïîìîùüþ ïåðåìåííîãî ðåçèñòîðà
Ñ IO RCC è îáû÷íî òðåáóåò ìîùíîãî ïîñòîÿííîãî
ðåçèñòîðà, èíäèâèäóàëüíî ïîäîáðàííîãî äëÿ
Q1 êàæäîãî ÌÎÏ-òðàíçèñòîðà. Ýòî ñâÿçàíî ñ
È òåì, ÷òî íàïðÿæåíèå îòñå÷êè (VGS(OFF)), íåîá-
õîäèìîå äëÿ óïðàâëåíèÿ ÌÎÏ-òðàíçèñòî-
RCC ðîì, èìååò áîëüøîé ðàçáðîñ îò óñòðîéñòâà ê
óñòðîéñòâó, êàê è ïðÿìîå íàïðÿæåíèå VF ñâå-
Ñâåòîäèîä òîäèîäà. Ýòî äåëàåò ñõåìó íåïðàêòè÷íîé äëÿ
ìàññîâîãî ïðîèçâîäñòâà.
Ðèñóíîê 2. Óëó÷øåííûé âàðèàíò ñ ïîëåâûì
òðàíçèñòîðîì â êà÷åñòâå èñòî÷íèêà òîêà. Íîâàÿ ñõåìà ïîçâîëÿåò óïðàâëÿòü íàïðÿ-
æåíèåì îòñå÷êè (VGS(OFF)) MOSFET îáåäíåí-
ùèé ÷åðåç ÌÎÏ-òðàíçèñòîð, ñîçäàåò ïàäå- íîãî òèïà.  íåé ìîùíûé ïîñëåäîâàòåëüíûé
íèå íàïðÿæåíèÿ íà ðåçèñòîðå, ñîïðîòèâëå- ðåîñòàò RCC ñòàíäàðòíîé ñõåìû çàìåíåí ñâå-
íèå êîòîðîãî ïîäîáðàíî òàêèì, ÷òîáû ýòî òîäèîäîì, à âûñîêîîìíûé ïîòåíöèîìåòð
íàïðÿæåíèå ïðåâûøàëî íàïðÿæåíèå îòñå÷êè (äåëèòåëü íàïðÿæåíèÿ) âêëþ÷åí ïàðàëëåëü-
íà âåëè÷èíó, íåîáõîäèìóþ äëÿ îáåñïå÷åíèÿ íî ñâåòîäèîäó (Ðèñóíîê 3).
òðåáóåìîãî ïîñòîÿííîãî òîêà IO. Äâóõâûâîä-
íîé èñòî÷íèê ïîñòîÿííîãî òîêà ïîçâîëÿåò  ïðåäñòàâëåííîé íà ýòîé ñõåìå êîìáèíà-
ïðîèçâîëüíî ïîäêëþ÷àòü íàãðóçêó ëèáî ê ñòî- öèè îáåäíåííîãî MOSFET è ñâåòîäèîäà ïîëå-
êó, ëèáî, ÷àùå âñåãî, êàê ïîêàçàíî íà ðèñóíêå, âîé òðàíçèñòîð ãåíåðèðóåò òîê, óïðàâëÿåìûé
ê âûâîäó çàòâîðà. íàïðÿæåíèåì, â òî âðåìÿ êàê ñâåòîäèîä, ïîä-
êëþ÷åííûé íåïîñðåäñòâåííî ê ñòîêó Q1, ãåíå-
MOSFET îáåäíåííîãî òèïà IXTP3N50D2, ðèðóåò íàïðÿæåíèå, çàâèñÿùåå îò òîêà.
âûïóñêàåìûé êîìïàíèåé IXYS, óïðàâëÿåò 5- Òàêèì îáðàçîì, ìàêñèìàëüíûé òîê ïðîõîäèò
âàòòíûì ñâåòîäèîäîì LZI-00NW05 êîìïàíèè ÷åðåç ñâåòîäèîä òîãäà, êîãäà äâèæîê ïîòåí-
LEDengin (190 ëì ïðè òîêå 1 À). Äëÿ ñõåìû öèîìåòðà íàõîäèòñÿ âîçëå âûâîäà RCC, ïîä-
òðåáóåòñÿ ðåçèñòîð (RCC) îò 2 äî 10 Îì ìîù- êëþ÷åííîãî ê èñòîêó òðàíçèñòîðà, è äîñòèãà-
íîñòüþ îò 1 äî 2 Âò. Äëÿ äîñòèæåíèÿ ìàêñè- åò ìèíèìàëüíîãî çíà÷åíèÿ, îïðåäåëÿåìîãî
ìàëüíîãî ÊÏÄ íàïðÿæåíèå ïèòàíèÿ äîëæíî ïðÿìûì íàïðÿæåíèåì ñâåòîäèîäà è íàïðÿ-
áûòü êàê ìîæíî áëèæå ê ïðÿìîìó íàïðÿæå- æåíèåì VGS(OFF) òðàíçèñòîðà, êîãäà äâèæîê
íèþ ñâåòîäèîäà VF. ïåðåìåùàåòñÿ ê çàçåìëåííîìó âûâîäó
ïîòåíöèîìåòðà.
Õîòÿ òðàäèöèîííûé èñòî÷íèê ïîñòîÿííîãî
òîêà êîìïàêòåí è ýôôåêòèâåí, îí îáåñïå÷è- ×òîáû ïðè êðàéíåì ïîëîæåíèè äâèæêà
âàåò ëèøü îãðàíè÷åííûé äèàïàçîí óïðàâëå- ïîòåíöèîìåòðà èñêëþ÷èòü âîçìîæíîñòü ïðî-
òåêàíèÿ ÷åðåç ñâåòîäèîä ñëèøêîì áîëüøîãî
V+ òîêà, ñïîñîáíîãî âûâåñòè ñõåìó èç ñòðîÿ,
Ñ IO ìîæåò ïîòðåáîâàòüñÿ äîïîëíèòåëüíîå
íåáîëüøîå ñîïðîòèâëåíèå, âêëþ÷åííîå
Q1 ìåæäó çàòâîðîì è RCC, ïîñêîëüêó ïðÿìîå
È ñîåäèíåíèå èñòîêà è çàòâîðà ïîëíîñòüþ
îòêðîåò MOSFET. Ïðÿìîå íàïðÿæåíèå VF
RCC îäèíî÷íîãî áåëîãî ñâåòîäèîäà íàõîäèòñÿ â
äèàïàçîíå îò 3.6 äî 3.8 Â, à íàïðÿæåíèå
Áåëûé îòñå÷êè VGS(OFF) òðàíçèñòîðà IXTP3N50D2
ñâåòîäèîä èìååò ðàçáðîñ îò –2 äî –4 Â. Ýòà ñõåìà îáåñ-
ïå÷èâàåò óäîáíûé ñïîñîá ðåãóëèðîâàíèÿ â
Ðèñóíîê 3. Âêëþ÷åíèå ïîòåíöèîìåòðà øèðîêîì äèàïàçîíå ÿðêîñòè ñâå÷åíèÿ ñâåòî-
ïàðàëëåëüíî ñâåòîäèîäó âìåñòî ðåîñòàò- äèîäà ëþáîãî öâåòà áåç íåîáõîäèìîñòè
íîãî âêëþ÷åíèÿ ïîçâîëÿåò ñîçäàòü áîëåå ó÷åòà õàðàêòåðèñòèê êîíêðåòíîãî ÌÎÏ-òðàí-
ýôôåêòèâíóþ àðõèòåêòóðó ðåãóëèðóåìîãî çèñòîðà èëè ñâåòîäèîäà. Çíà÷åíèÿ íàïðÿæå-
èñòî÷íèêà òîêà, ïèòàþùåãî ñâåòîäèîä. íèé òàêæå ïîêàçûâàþò, ÷òî âåëè÷èíû VF îäíî-
ãî áåëîãî ñâåòîäèîäà íåäîñòàòî÷íî äëÿ òîãî,
÷òîáû â êðàéíåì ïîëîæåíèè äâèæêà ïîòåíöè-
îìåòðà óïðàâëÿþùèé ÌÎÏ-òðàíçèñòîð áûë
ïîëíîñòüþ çàêðûò (Ðèñóíîê 4).

52 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

Äèàïàçîí Äèàïàçîí ïîëíîå ñîïðîòèâëåíèå ïîòåíöèîìåòðà, à
VDS(ON) VF òîëüêî îòíîøåíèå ñîïðîòèâëåíèé âûøå è
íèæå äâèæêà, óìíîæåííîå íà VF ñâåòîäèîäà.
–2 Â ñâåòîäèîäà Ïîëíîå ñîïðîòèâëåíèå ïîòåíöèîìåòðà îïðå-
äåëÿåò ëèøü ïîòðåáëÿåìûé èì òîê è ðàâíî
1À ïðîèçâåäåíèþ n íà ïðÿìîå íàïðÿæåíèå ñâå-
òîäèîäà, äåëåííîìó íà ñîïðîòèâëåíèå
–3  ðåçèñòîðà RCC, âêëþ÷åííîãî ïàðàëëåëüíî
ñâåòîäèîäó (ãäå n – êîëè÷åñòâî ñâåòîäèîäîâ â
–4  1 ìÀ öåïî÷êå).

Ðèñóíîê 4. Äèàïàçîí óïðàâëÿþùèõ íàïðÿæå- Äëÿ îäèíî÷íîãî ñâåòîäèîäà òîê, èäóùèé
íèé ïîëåâîãî òðàíçèñòîðà ïåðåêðûâàåò ÷åðåç 100-êèëîîìíûé ïîòåíöèîìåòð, âêëþ-
øêàëó èíòåíñèâíîñòè ñâå÷åíèÿ ñâåòîäèîäà. ÷åííûé ïàðàëëåëüíî ñâåòîäèîäó, ñîñòàâëÿåò
(Æåëòûì öâåòîì âûäåëåí äèàïàçîí íîìè- âñåãî 0.037 ìÀ (0.14 ìÂò), ïîýòîìó ïîäîéäåò
íàëüíûõ ðàáî÷èõ ðåæèìîâ ñâåòîäèîäà). ëþáîé ïîäñòðîå÷íûé ðåçèñòîð, ÷òî íà ïîðÿä-
êè ëó÷øå, ÷åì èñïîëüçîâàíèå ïîñëåäîâàòåëü-
Åñëè æå òðåáóåòñÿ äèàïàçîí óïðàâëåíèÿ íîãî ðåîñòàòà. Êðîìå òîãî, ïîñêîëüêó
òðàíçèñòîðîì îò ïîëíîãî åãî âêëþ÷åíèÿ äî MOSFET óïðàâëÿåòñÿ íàïðÿæåíèåì, ñîïðî-
ïîëíîãî âûêëþ÷åíèÿ, ïðîñòîå ðåøåíèå òèâëåíèå ïîòåíöèîìåòðà ìîæåò â ðàçû ïðå-
çàêëþ÷àåòñÿ â ïîñëåäîâàòåëüíîì ñîåäèíå- âûøàòü ýòî çíà÷åíèå è ïðè ýòîì ñîîòâåòñòâî-
íèè äâóõ ñâåòîäèîäîâ. Òàêàÿ ñõåìà ðàáîòàåò âàòü õàðàêòåðèñòèêàì òðàíçèñòîðà, ÷òî ïîçâî-
â óñòðîéñòâå àâòîðà ïðè íàïðÿæåíèÿõ ïèòà- ëÿåò äîïîëíèòåëüíî ñíèçèòü ïîòåðè ìîùíîñ-
íèÿ â äèàïàçîíå îò 2.8 äî 12 Â, è áóäåò ðàáî- òè â öåïè óïðàâëåíèÿ äî íè÷òîæíûõ çíà÷åíèé.
òàòü òàêæå äî ìàêñèìàëüíî äîïóñòèìîãî Ïðè ïîñëåäîâàòåëüíîì ñîåäèíåíèè äâóõ è
íàïðÿæåíèÿ ïîëåâîãî òðàíçèñòîðà, îäíàêî áîëåå ñâåòîäèîäîâ ñîïðîòèâëåíèå ïîòåíöèî-
äëÿ ýòîãî ïîòðåáóåòñÿ ðàäèàòîð. Ëó÷øèì ïîä- ìåòðà ìîæåò áûòü ïðîïîðöèîíàëüíî óâåëè÷å-
õîäîì áûëî áû óâåëè÷èòü êîëè÷åñòâî ïîñëå- íî äî 200 êÎì (èëè áîëåå), ÷òîáû ñîõðàíèòü
äîâàòåëüíûõ ñâåòîäèîäîâ, ÷òîáû ñóììàðíîå òîò æå óðîâåíü ýíåðãîïîòðåáëåíèÿ.
íàïðÿæåíèå íà íèõ ñîîòâåòñòâîâàëî íàïðÿ-
æåíèþ ïèòàíèÿ ñ òî÷êè çðåíèÿ ðàññåèâàåìîãî Êðîìå òîãî, ïîñêîëüêó ñõåìà íå ñîäåðæèò
òåïëà è ÊÏÄ. Íàïðèìåð, 500-âîëüòîâûé 3- ðåàêòèâíûõ èëè ïåðåêëþ÷àþùèõ êîìïîíåí-
àìïåðíûé MOSFET IXTP3N50D2 ìîæåò â òîâ, îíà èìååò êîýôôèöèåíò ìîùíîñòè, ðàâ-
àâòîíîìíîì ïðèëîæåíèè óïðàâëÿòü òðåìÿ íûé åäèíèöå. Îíà òàêæå íå ñîçäàåò ýëåêòðî-
ïàðàëëåëüíûìè öåïî÷êàìè èç ñòà 5-âàòòíûõ ìàãíèòíûõ ïîìåõ, è ïîýòîìó íå ïîïàäàåò â
áåëûõ ñâåòîäèîäîâ. ñôåðó ðåãóëèðîâàíèÿ ×àñòè 15 ïðàâèë FCC,
ðåãëàìåíòèðóþùèõ óðîâíè ÝÌÈ. ÐË
Äëÿ óñòàíîâêè íàïðÿæåíèÿ íà çàòâîðå
îáåäíåííîãî MOSFET èìååò çíà÷åíèå íå Ìàòåðèàëû ïî òåìå

1. Datasheet IXYS IXTP3N50D2

2. Datasheet LedEngin LZ1-00NW05

3. Datasheet PerkinElmer VT900

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 53

Öèôðîâîé ïîòåíöèîìåòð
ïðîãðàììèðóåò

îñíîâíûå ïàðàìåòðû
ïîëîñîâîãî ôèëüòðà

Chuck Wojslaw

EDN

ÑÑõåìà ôèëüòðà ñ ðåãóëèðóåìûìè ïàðàìåò- äîáèòüñÿ âûñîêîãî óñèëåíèÿ G è âûñîêîé äîá-
ðîòíîñòè Q (Ðèñóíîê 1). Ýòè äâà ïàðàìåòðà
ðàìè íà òðåõ îïåðàöèîííûõ óñèëèòåëÿõ ìîæåò îñîáåííî âàæíû äëÿ ïðèëîæåíèé, ãäå êëþ÷å-
èñïîëüçîâàòüñÿ äëÿ ïîñòðîåíèÿ íèçêî÷àñòîò- âûì ïàðàìåòðîì ÿâëÿåòñÿ èçáèðàòåëüíîñòü
íûõ, âûñîêî÷àñòîòíûõ è ïîëîñîâûõ ôèëüòðîâ ôèëüòðà. Öåííîñòü ñõåìû âîçðàñòàåò åùå
âòîðîãî ïîðÿäêà. Ïðåèìóùåñòâî ñõåìû, îäíà- áîëüøå, åñëè äëÿ óïðàâëåíèÿ è ðåãóëèðîâêè
êî, ïðîÿâëÿåòñÿ â ÷àñòîòíîé õàðàêòåðèñòèêå öåíòðàëüíîé ÷àñòîòû ôèëüòðà (f0) è åãî êîýô-
ïîëîñîâîãî ôèëüòðà (VOUT/VIN), â êîòîðîé ëåãêî
C2 5Â
R3 0.1 µF
10k
1% 8 _9 5 8 1 DPP1 INC
IC2 63 2 U/D
R4 7 CS
10k 10 R5
1% + 10k 4

2.5 Â

5Â 5 C1 DPP2
5Â 0.1 µF VOUT
6_
2_ 4
IC3
INC DPP3 IC1 1 36 5+
U/D 3 + 11
R5 7
10k

CS

VIN 2.5V
10k
ÏÐÈÌÅ×ÀÍÈß:
R1 R2 DPP1, DPP2, DPP3 – CAT5113.
pR (1-p)R IC1, IC2, IC3 – ¼ LMC6484.

Ðèñóíîê 1. Èñïîëüçóÿ ïðîãðàììèðóåìûå öèôðîâûå ïîòåíöèîìåòðû, ìîæíî óïðàâëÿòü öåíòðàëü-
íîé ÷àñòîòîé è óñèëåíèåì ïîëîñîâîãî ôèëüòðà.

54 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

ôèöèåíòà óñèëåíèÿ â ïîëîñå ïðîïóñêàíèÿ (G) ãäå p îòðàæàåò îòíîñèòåëüíîå ïîëîæåíèå
èñïîëüçîâàòü ïðîãðàììèðóåìûå öèôðîâûå äâèæêà ìåæäó îäíèì êîíöîì (0) ïîòåíöèî-
ïîòåíöèîìåòðû. Âîçìîæíîñòü íåçàâèñèìîãî ìåòðà è äðóãèì êîíöîì (1). R ïðåäñòàâëÿåò
óïðàâëåíèÿ ïàðàìåòðàìè ïîëîñîâîãî ôèëüò- ñîïðîòèâëåíèå ìåæäó êîíöàìè öèôðîâîãî
ðà ÿâëÿåòñÿ ðåäêîñòüþ äëÿ òðàäèöèîííûõ ïîòåíöèîìåòðà. Êîýôôèöèåíò óñèëåíèÿ è Q
ñõåì ïîñòðîåíèÿ ôèëüòðîâ. ñâÿçàíû ñîîòíîøåíèåì

 ýòîì ôèëüòðå ìèêðîñõåìà IC1 âûïîëíÿ- Q = 1+ G.
åò ôóíêöèþ ñóììèðóþùåãî óñèëèòåëÿ, à IC2 è 2
IC3 – ôóíêöèè èíòåãðàòîðîâ. Òðè öèôðîâûõ
ïîòåíöèîìåòðà DPP1, DPP2 è DPP3 ïðîãðàì- Èíòåðôåéñ èíêðåìåíòà/äåêðåìåíòà öèô-
ìèðóþò öåíòðàëüíóþ ÷àñòîòó è êîýôôèöèåíò ðîâûõ ïîòåíöèîìåòðîâ CAT5113 ïîçâîëÿåò â
óñèëåíèÿ â ïîëîñå ïðîïóñêàíèÿ ôèëüòðà. ðåàëüíîì âðåìåíè çàìêíóòü ïåòëþ ðåãóëèðî-
Âûïóñêàåìûå ON-Semiconductor 100-ïîçèöè- âàíèÿ ïðèëîæåíèÿ, íåïðåðûâíî èçìåíÿÿ
îííûå öèôðîâûå ïîòåíöèîìåòðû DPP1 è öåíòðàëüíóþ ÷àñòîòó ôèëüòðà äëÿ îòñëåæè-
DPP2 îáúåäèíåíû äëÿ ïðîãðàììèðîâàíèÿ âàíèÿ âõîäíîãî ñèãíàëà èëè äëÿ àäàïòàöèè ê
öåíòðàëüíîé ÷àñòîòû f0, à DPP3 ïðîãðàììè- ñèñòåìíûì òðåáîâàíèÿì. Ñ ïîêàçàííûìè íà
ðóåò êîýôôèöèåíò óñèëåíèÿ G. Öåíòðàëüíàÿ ñõåìå íîìèíàëàìè êîìïîíåíòîâ öåíòðàëü-
÷àñòîòà ðàâíà íàÿ ÷àñòîòà èçìåíÿåòñÿ îò 200 Ãö äî áîëåå
÷åì 6 êÃö ïðè çíà÷åíèÿõ êîýôôèöèåíòà óñè-
f0 = 1 = 1, ëåíèÿ, äîñòèãàþùèõ 25. ÐË
2pR5C1 2ppRC1
Ìàòåðèàëû ïî òåìå
à êîýôôèöèåíò óñèëåíèÿ ðàâåí
G = R2 = 1- p , 1. Datasheet ON Semiconductor CAT5113
R1 p
2. Datasheet Texas Instruments LMC6484

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 55

Äâå êíîïêè

îáåñïå÷èâàþò

áåçîïàñíûé çàïóñê

Vincent Himpe

EDN

ÑÑõåìà íà Ðèñóíêå 1 îáåñïå÷èâàåò çàùèò- êîòîðûé óñòàíîâëåí âíóòðè ðóêîÿòîê ñèëîâî-
ãî àãðåãàòà. Îáúåäèíåíèå ïî «È» äâóõ âûêëþ-
íóþ áëîêèðîâêó, êîòîðàÿ ïåðåä âêëþ÷åíèåì ÷àòåëåé äåëàåò óñòðîéñòâî áîëåå áåçîïàñ-
ðåëå ïðîâåðÿåò íàæàòèå äâóõ êíîïîê. Åñëè íûì, íî òðåáóåò äëÿ óïðàâëåíèÿ äâóõ ðóê, ÷òî
íàæàòü äâå êíîïêè, âêëþ÷èòñÿ ðåëå. Ïîñëå èíîãäà áûâàåò êðàéíå íåóäîáíî. Äëÿ çàïóñêà
ýòîãî îäíó èç êíîïîê ìîæíî îòïóñòèòü, íî äâèãàòåëÿ ñ ïîìîùüþ ñõåìû íà Ðèñóíêå 1
ðåëå íå âûêëþ÷èòñÿ. Ñõåìà áûëà ïðåäíàçíà- íóæíû äâå ðóêè, îäíàêî äëÿ òîãî, ÷òîáû îí
÷åíà äëÿ áëîêèðîâêè äâèãàòåëÿ ïîäâîäíîé ïðîäîëæàë ðàáîòàòü, äîñòàòî÷íî îäíîé ðóêè.
ñèëîâîé óñòàíîâêè. Ïðè ðàáîòå ñ òàêèìè Åñëè íè îäíà èç êíîïîê íå íàæàòà, äâèãàòåëü
óñòðîéñòâàìè íà ïîâåðõíîñòè ÷åëîâåê ìîæåò îñòàíàâëèâàåòñÿ.  ñõåìå íåòèïè÷íûì ñïî-
ñëó÷àéíî íàæàòü íà âûêëþ÷àòåëü ïðèâîäà,

VCC + R1
1k
C2
100 µF

S1 S2 D1
1N4001

C1 8
+

GND R1 R2 470 nF 4 VCC Q3
1k 1k VIN R

IC1

2 TRIG LM555 DIS 7

R3 5 CVOLT GND THR 6
1.5k 1

Ðèñóíîê 1. Íàæàòèå äâóõ êíîïîê âêëþ÷àåò ðåëå; íàæàòèå îäíîé êíîïêè óäåðæèâàåò
åãî âî âêëþ÷åííîì ñîñòîÿíèè.

56 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

ñîáîì èñïîëüçóåòñÿ ìèêðîñõåìà òàéìåðà ÷åðåç ðåçèñòîð R3 ïîäêëþ÷åí ê çåìëå. Ïðè
555 (IC1). Òàéìåð â ýòîé ñõåìå ðàáîòàåò êàê íàæàòèè îäíîé êíîïêè âõîäíîå íàïðÿæåíèå
îêîííûé êîìïàðàòîð ñ ïîñëåäóþùèì ýëå- óâåëè÷èâàåòñÿ äî
ìåíòîì ïàìÿòè.
VCCR3 .
Íàæàòèå îäíîé êíîïêè óñòàíàâëèâàåò íà R1 + R3
âõîäå TRIG íàïðÿæåíèå, óðîâåíü êîòîðîãî
íàõîäèòñÿ ìåæäó äâóìÿ ïîðîãàìè êîìïàðàòî- Åñëè íàæàòü îáå êíîïêè, âõîäíîå íàïðÿæå-
ðà è, ñëåäîâàòåëüíî, íå âëèÿåò íà ñîñòîÿíèå íèå óâåëè÷èòñÿ äî
âíóòðåííåãî òðèããåðà òàéìåðà 555. Òîëüêî
ïðè íàæàòèè äâóõ êíîïîê íàïðÿæåíèå ïîäíè- VCCR3 .
ìàåòñÿ âûøå âåðõíåãî ïîðîãîâîãî óðîâíÿ è 0.5R1 + R3
óñòàíàâëèâàåò âíóòðåííèé òðèããåð ìèêðîñõå-
ìû. Îòïóñêàíèå îäíîé êíîïêè âîçâðàùàåò Åñëè R3 = 1.5 êÎì è R1 = R2 = 1 êÎì, óñëî-
âõîäíîå íàïðÿæåíèå îáðàòíî ê ñðåäíåìó âèÿ ðàáîòû ñõåìû áóäóò ñëåäóþùèìè:
çíà÷åíèþ ìåæäó ïîðîãàìè îêíà è íå îêàçûâà-
åò âëèÿíèÿ íà ñîñòîÿíèå òðèããåðà. Îòïóñêà- ! Íåò íàæàòûõ êíîïîê: VIN = 0 Â; âûõîä
íèå äâóõ êíîïîê ïîäêëþ÷àåò âõîä ê çåìëå, òî âûêëþ÷åí.
åñòü, íèæå íèæíåãî ïîðîãà ïåðåêëþ÷åíèÿ, è
âûõîä ñáðàñûâàåòñÿ. Ïîñêîëüêó ïîðîãîâûå ! Íàæàòà îäíà êíîïêà: VIN = 0.6VCC – íèæå
óðîâíè òàéìåðà çàäàþòñÿ ðåçèñòèâíûì äåëè- âåðõíåãî ïîðîãà 0.66VCC; ñîñòîÿíèå ñõåìû
òåëåì, íàïðÿæåíèå ïèòàíèÿ íå îêàçûâàåò íå ìåíÿåòñÿ.
âëèÿíèÿ íà ïîâåäåíèå ñõåìû. Âõîä ñáðîñà R
òàéìåðà 555 ïîäêëþ÷åí ê RC-öåïî÷êå, îáåñ- ! Íàæàòû äâå êíîïêè: VIN = 0.75VCC – âûøå
ïå÷èâàþùåé ñáðîñ ìèêðîñõåìû ïðè âêëþ÷å- âåðõíåãî ïîðîãà 0.66VCC; ðåëå âêëþ÷àåòñÿ.
íèè ïèòàíèÿ. Âàðüèðóÿ ñîïðîòèâëåíèå ðåçèñ- Ñõåìà ïîääàåòñÿ ìîäèôèêàöèè. Ìîæíî
òîðà, ìîæíî èçìåíÿòü óñëîâèÿ ðàáîòû ñõå-
ìû. Âûñîêàÿ íàãðóçî÷íàÿ ñïîñîáíîñòü ìèê- äîáàâèòü àâàðèéíîå âûêëþ÷åíèå, ïðèñîåäè-
ðîñõåìû 555 ïîçâîëÿåò óïðàâëÿòü ïî÷òè íèâ âûêëþ÷àòåëü ïàðàëëåëüíî êîíäåíñàòîðó
ëþáûì ðåëå. Äèîä íà âûõîäå çàùèùàåò òàé- C1. À ïîäêëþ÷åíèå êîíäåíñàòîðîâ ïàðàëëåëü-
ìåð 555 îò ïðîòèâîÝÄÑ êàòóøêè ðåëå, âîçíè- íî ðåçèñòîðàì R1 è R2 äîáàâèò çàäåðæêó ñðà-
êàþùåé, êîãäà ðåëå âûêëþ÷àåòñÿ. áàòûâàíèÿ ñõåìû. Ìîæíî òàêæå èçìåíèòü ïîðî-
ãîâûå óðîâíè, âêëþ÷èâ ðåçèñòîð ìåæäó âûâî-
Ïîðîãîâûå óðîâíè ìèêðîñõåìû 555 ðàâíû äîì 5 òàéìåðà è øèíîé VCC èëè çåìëåé. ÐË
îäíîé òðåòè è äâóì òðåòÿì íàïðÿæåíèÿ ïèòà-
íèÿ. Ñîïðîòèâëåíèÿ ðåçèñòîðîâ R1 è R2 ðàâ- Ìàòåðèàëû ïî òåìå
íû. Ïîêà íè îäíà êíîïêà íå íàæàòà, âõîä
1. Datasheet Texas Instruments LM555

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 57

Âûñîêîèìïåäàíñíûé
áóôåðíûé óñèëèòåëü

ñ çàùèòîé âõîäîâ

îò ýëåêòðîñòàòè÷åñêèõ ðàçðÿäîâ

Eugene Palatnik

EDN

ÄÄëÿ èçìåðåíèÿ íåêîòîðûõ ïàðàìåòðîâ, ïðîáëåìû ïîêàçàí íà Ðèñóíêå 1. Ðåçèñòîð R1
îãðàíè÷èâàåò òîê, ñîçäàâàåìûé ESD, à
òàêèõ êàê pH (êèñëîòíîñòü) è áèîïîòåíöèàëû, äèîäû D1A è D1B íå ïîçâîëÿþò âõîäíîìó
òðåáóþòñÿ áóôåðíûå óñèëèòåëè ñ âûñîêèì íàïðÿæåíèþ óñèëèòåëÿ IC1 ïðåâûñèòü óðîâíè
âõîäíûì ñîïðîòèâëåíèåì. Ìèêðîñõåìû óñè- øèí ïèòàíèÿ. Ê ñîæàëåíèþ, ïðè øóíòèðîâà-
ëèòåëåé ñ íèçêèìè çíà÷åíèÿìè íàïðÿæåíèé íèè 400-ìåãàîìíîãî âõîäíîãî èìïåäàíñà
ñìåùåíèÿ è âõîäíûõ òîêîâ ïðåäëàãàþò ìíî- äàò÷èêà pH äàæå äèîäû ñ ìàëîé óòå÷êîé,
ãèå ïðîèçâîäèòåëè ïîëóïðîâîäíèêîâ, íî ïðè òàêèå êàê MMBD1503A, âûïóñêàåìûå ON
ïîäêëþ÷åíèè êàáåëÿ äàò÷èêà ê ñõåìå óñèëè- Semiconductor, ñîçäàþò çíà÷èòåëüíûå íàïðÿ-
òåëÿ ñóùåñòâóåò ðèñê ïîâðåæäåíèÿ ýëåêòðî- æåíèÿ ñìåùåíèÿ.
ñòàòè÷åñêèì ðàçðÿäîì (ESD), ÷òî òðåáóåò
ñîîòâåòñòâóþùåé çàùèòû óñèëèòåëÿ. Ïðè- Àëüòåðíàòèâíûé ïîäõîä èëëþñòðèðóåòñÿ
ìåð íåóäîâëåòâîðèòåëüíîãî ðåøåíèÿ ýòîé ñõåìîé íà Ðèñóíêå 2. Óñèëèòåëü AD8603 êîì-
ïàíèè Analog Devices ñ íèçêèìè âõîäíûìè
3Â òîêàìè è íèçêèìè òîêàìè ñìåùåíèÿ âûïîëíÿ-
åò ôóíêöèþ âõîäíîãî áóôåðà ñ åäèíè÷íûì
D1A + VOUT óñèëåíèåì. Äëÿ ëþáîãî íîðìàëüíîãî âõîäíî-
VIN R1 IC1 ãî ñèãíàëà âûõîäíîå íàïðÿæåíèå ñõåìû VOUT
ðàâíî âõîäíîìó íàïðÿæåíèþ VIN. Ïîýòîìó
D1B _ íàïðÿæåíèå íà äèîäå çàùèòû îò ýëåêòðîñòà-
òè÷åñêèõ ðàçðÿäîâ D1A èëè D1B ïðèáëèæàåòñÿ
–3  ê 0 Â, è òîê óòå÷êè íè îäíîãî èç äèîäîâ íå âëèÿ-
åò íà âûõîäíîé ñèãíàë äàò÷èêà.  çàâèñèìîñ-
Ðèñóíîê 1.  îáû÷íîé ñõåìå çàùèòû îò ýëåê- òè îò ïîëÿðíîñòè ESD, ïðèëîæåííîãî ê âõîä-
òðîñòàòè÷åñêèõ ðàçðÿäîâ äèîäû îãðàíè÷è- íîìó ðàçúåìó ñõåìû, âûñîêîâîëüòíûé ïèê
âàþò âõîäíîå íàïðÿæåíèå óñèëèòåëÿ äî óðîâ- ðàçðÿæàåòñÿ ÷åðåç äèîä D1A èëè D1B íà ïîëî-
íÿ åãî øèí ïèòàíèÿ, íî ÿâëÿþòñÿ ïðè÷èíîé æèòåëüíóþ èëè îòðèöàòåëüíóþ øèíó ïèòà-
íåæåëàòåëüíûõ òîêîâ óòå÷êè. íèÿ. Êîíäåíñàòîð C1 ðàáîòàåò êàê ïðîìåæó-
òî÷íîå «õðàíèëèùå çàðÿäà», êîòîðîå óìåíü-
øàåò ñêîðîñòü íàðàñòàíèÿ ïèêà ESD è çàùè-
ùàåò âûõîäíîé êàñêàä ìèêðîñõåìû IC1 îò
çàùåëêèâàíèÿ, ïîêà äèîä D2A èëè D2B íå
íà÷íåò îòâîäèòü òîê ESD â ïîëîæèòåëüíóþ

58 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

J1 VIN 3 Â –3 Â
ÂÕÎÄ D1 C2 C3
MMBD1503A
R1 3 Â 0.1 µF 0.1 µF
D1A 1k

D1B R2 + IC1 VOUT
1 1k AD8603
_
ÇÀÙÈÒÍÎÅ ÊÎËÜÖÎ
3Â –3 Â

D2 D2A R3
MMBD1503A D2B 270

C1
1 nF

–3 Â

Ðèñóíîê 2. Â ýòîé àëüòåðíàòèâíîé ñõåìå íàïðÿæåíèå íà îáåèõ ïîëîâèíàõ D1 â íîðìàëü-
íîì ðåæèìå ïðèáëèæàåòñÿ ê íóëþ è íå ïðèâîäèò ê âîçíèêíîâåíèþ òîêîâ óòå÷êè. Âî âðåìÿ

ýëåêòðîñòàòè÷åñêîãî ðàçðÿäà îáà äèîäà ïðîâîäÿò òîê, çàùèùàÿ âõîäû ìèêðîñõåìû IC1.

èëè îòðèöàòåëüíóþ øèíó ïèòàíèÿ. Ïî ñóòè, ìèêðîñõåìû IC1 ïðè ïîäêëþ÷åíèè åìêîñòíîé
C1 êîìïåíñèðóåò ïàðàçèòíóþ åìêîñòü íàãðóçêè.
D1.Ðåçèñòîð R3 îáåñïå÷èâàåò óñòîé÷èâîñòü
Âî âðåìÿ ýëåêòðîñòàòè÷åñêîãî ðàçðÿäà
ÏÐÎÂÎÄÍÈÊ ïðîâîäèòü òîê ìîãóò êàê D1, òàê è D2, íî ïðè
ÇÀÙÈÒÍÎÃÎ ÊÎËÜÖÀ ýòîì âõîäíîå íàïðÿæåíèå VIN ïðåâûøàåò
íàïðÿæåíèå øèíû ïèòàíèÿ òîëüêî íà äâà ïðÿ-
Ðèñóíîê 3. Äëÿ ïîëó÷åíèÿ íàèëó÷øèõ õàðàê- ìûõ íàïðÿæåíèÿ äèîäà. Ðåçèñòîðû R1 è R2
òåðèñòèê îêðóæèòå âûñîêîèìïåäàíñíûå îãðàíè÷èâàþò âõîäíûå òîêè óñèëèòåëÿ íèæå
òî÷êè ñõåìû ìåäíûìè ïðîâîäíèêàìè, êîòî- ðåêîìåíäîâàííîãî èçãîòîâèòåëåì ìàêñè-
ðûå áóäóò ïåðåõâàòèòü òîêè óòå÷êè. ìàëüíîãî óðîâíÿ 5 ìÀ.

Ïðè èçãîòîâëåíèè ñõåìû îáðàùàéòå îñî-
áîå âíèìàíèå íà ðàçâîäêó ïå÷àòíîé ïëàòû.
Èç-çà íåñîâåðøåíñòâà äèýëåêòðè÷åñêèõ
ñâîéñòâ ïëàòû ìîãóò âîçíèêíóòü ïóòè äëÿ
ïàðàçèòíûõ òîêîâ óòå÷êè. Äîáàâëåíèå ìåä-
íûõ ïðîâîäíèêîâ ñ îáåèõ ñòîðîí ïëàòû äëÿ
ñîçäàíèÿ çàùèòíûõ êîëåö âîêðóã âûñîêîèì-
ïåäàíñíûõ óçëîâ îòêëîíÿåò òîêè óòå÷-
êè (Ðèñóíîê 3). ÐË

Ìàòåðèàëû ïî òåìå

1. Datasheet Analog Devices AD8603

2. Datasheet ON Semiconductor MMBD1503A

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 59

Íåäîðîãîé
àíåìîìåòð

áîðåòñÿ ñ ïûëüþ

Jim Christensen

EDN

ÐÐàñòóùèå óðîâíè ðàññåèâàåìîé ìîùíîñ- Îäíàêî ïûëü, êîòîðóþ âåíòèëÿòîðû çàòÿãè-
âàþò â ýòè êîðïóñà, ìîæåò ñîçäàâàòü ñåðüåç-
òè òðåáóþò èíòåíñèâíîãî îõëàæäåíèÿ, è âñå íûå ïðîáëåìû äëÿ âûñîêîíàäåæíûõ ñèñòåì.
Ïîêðûâàÿ òåïëîîòâîäû è ýëåêòðè÷åñêè çàðÿ-
áîëüøå è áîëüøå âåíòèëÿòîðîâ îêàçûâàþòñÿ

â òåñíûõ êîðïóñàõ ýëåêòðîííûõ óñòðîéñòâ.

3.3 Â

220

0.1 µF 100k Q1
SMBDATA FDN336P
SMBCLK 6
9 VCC 100k

8 IC2
MAX4626 5
7 1 10 Q3
5 2 2 Âò 2N3904

10 IC1 DXP 4 ÂÈÒÀß ÏÀÐÀ
MAX1618
2200 pF
2 ADD1
IC3
1 MAX4626 5
ADD0
DXN 4 21

3 4 100k Q2 ÂÎÇÄÓØÍÛÉ
FDN335N ÏÎÒÎÊ

3.3  xF3 = ÂÑÅ ÊËÞ×È ÐÀÇÎÌÊÍÓÒÛ.
1 xF2 = ÈÇÌÅÐÈÒÅËÜÍÛÅ ÊËÞ×È

ÇÀÌÊÍÓÒÛ.

xF5 = ÑÈËÎÂÛÅ MOSFET

82 ÎÒÊÐÛÒÛ.

9 I/O1

10 IC4 I/O2 3

7 MAX1661 4
I/O3
3.3 Â

6 ADD

5

Ðèñóíîê 1. Íàãðåâàÿ òðàíçèñòîð Q3 è èçìåðÿÿ âðåìÿ, çà êîòîðîå åãî òåìïåðàòóðà âîçâðàùàåòñÿ
ê èñõîäíîìó çíà÷åíèþ, ýòîò àíåìîìåòð èçìåðÿåò âåëè÷èíó âîçäóøíîãî ïîòîêà.

60 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

æåííûå êîìïîíåíòû, ïûëü äåéñòâóåò êàê îäå- Òàáëèöà 1. Çàâèñèìîñòü âðåìåíè îõëàæäå-
ÿëî, óâåëè÷èâàþùåå ýôôåêòèâíîå òåïëîâîå íèÿ îò íàïðÿæåíèÿ âåíòèëÿòîðà
ñîïðîòèâëåíèå ìåæäó êîìïîíåíòàìè è âîçäó-
õîì. Ïðîñòûì ñïîñîáîì áîðüáû ñ ýòîé ïðî- Íàïðÿæåíèå âåíòèëÿòîðà Âðåìÿ îõëàæäåíèÿ
áëåìîé ÿâëÿåòñÿ óñòàíîâêà íà âîçäóõîçàáîð- (Â) (ñ)
íèê îäíîðàçîâîãî ôèëüòðà. Îäíàêî åñëè âû
íå ñìîæåòå ðåãóëÿðíî çàìåíÿòü ôèëüòð, îí 12 30
ìîæåò çàáèòüñÿ è äåéñòâîâàòü êàê âîçäóøíàÿ 8 47
çàñëîíêà – ñèòóàöèÿ, åùå áîëåå íåïðèÿòíàÿ, 6 60
÷åì ïåðâîíà÷àëüíàÿ ïðîáëåìà. Ïîïûòêà 84
îáíàðóæèòü çàñîðåíèå ôèëüòðà ïóòåì ñ÷èòû- 0 (íåò âåíòèëÿòîðà)
âàíèÿ ÷èñëà îáîðîòîâ âåíòèëÿòîðà ñ
ïîìîùüþ ñèãíàëîâ òàõîìåòðà áåñïîëåçíà, Âû ìîæåòå èçìåðèòü åãî âåëè÷èíó, îöåíèâ
ïîñêîëüêó ñêîðîñòü âðàùåíèÿ âåíòèëÿòîðà âðåìÿ, íåîáõîäèìîå äëÿ òîãî, ÷òîáû òåìïå-
íå èìååò ïðÿìîé ñâÿçè ñ ïîòîêîì âîçäóõà. ðàòóðà òðàíçèñòîðà âåðíóëàñü â ïðåäåëû 1°
Ïëîõîå îáñëóæèâàíèå ôèëüòðà ìîæíî îáíà- îò åå ïåðâîíà÷àëüíîãî çíà÷åíèÿ. Äàò÷èê òåì-
ðóæèòü, îïðåäåëèâ ôàêòè÷åñêèé ïîòîê âîçäó- ïåðàòóðû èíæåêòèðóåò íåáîëüøîé òîê â áàçî-
õà ñ ïîìîùüþ òåïëîâîãî àíåìîìåòðà, íî âûé ïåðåõîä, ïîýòîìó âàæíî àêêóðàòíî ðàç-
áîëüøèíñòâî ýëåêòðîííûõ àíåìîìåòðîâ âåñòè ïå÷àòíóþ ïëàòó, ÷òîáû íå äîïóñòèòü
äîðîãè è ãðîìîçäêè.  êà÷åñòâå àëüòåðíàòèâû ïðîíèêíîâåíèÿ ïîìåõ â ëèíèè DXP è DXN.
âû ìîæåòå ñîçäàòü àíåìîìåòð ñ øèíîé
SMBus/I2C, èñïîëüçóÿ ïðåîáðàçîâàòåëü Åñëè âûíîñíîé òðàíçèñòîð âàì íóæíî óñòà-
èíòåðôåéñîâ, íåñêîëüêî íåäîðîãèõ êîììóòà- íîâèòü â âîçäóõîâîäå, èñïîëüçîâàíèå âèòîé
òîðîâ è äåøåâûé äèñòàíöèîííûé äàò÷èê òåì- ïàðû ïîçâîëèò óäàëèòü åãî îò ñõåìû íà ðàñ-
ïåðàòóðû (Ðèñóíîê 1). ñòîÿíèå äî 3.5 ì. Â Òàáëèöå 1 ïîêàçàíà çàâè-
ñèìîñòü íàïðÿæåíèÿ íà âåíòèëÿòîðå (âîçäóø-
Äëÿ âûêëþ÷åíèÿ MOSFET Q1 è Q2 è âêëþ- íîãî ïîòîêà) îò âðåìåíè îõëàæäåíèÿ äëÿ ñëó-
÷åíèÿ àíàëîãîâûõ ïåðåêëþ÷àòåëåé IC2 è IC3 ÷àÿ, êîãäà äàò÷èê òåìïåðàòóðû ðàçìåùåí ïðè-
èñïîëüçóéòå ïðåîáðàçîâàòåëü èíòåðôåéñîâ ìåðíî â 36 ñì îò âåíòèëÿòîðà, ðàáîòàþùåãî
IC4 ñ øèíîé SMBus. Èçìåðüòå òåìïåðàòóðó íà ïîëíîé ñêîðîñòè (12 Â), ñðåäíåé ñêîðîñòè
îêðóæàþùåãî âîçäóõà áåç ïðåäâàðèòåëüíîãî (8 Â), íèçêîé ñêîðîñòè (6 Â) è íóëåâîé. Âðåìå-
íàãðåâà òðàíçèñòîðà Q3. Çàòåì ïðîïóñòèòå íà âûäåðæêè ìîãóò äîñòèãàòü 30 ìèíóò. Ïðè
òîê äëÿ íàãðåâà Q3, âûêëþ÷èòå IC2 è IC3 è âêëþ÷åííîì íàãðåâå òðàíçèñòîðà Q3 ñõåìà
âêëþ÷èòå Q1 è Q2. Äëÿ äîñòèæåíèÿ òåìïåðà- ïîòðåáëÿåò ïðèìåðíî 200 ìÀ. Åñëè òàêîå ðàñ-
òóðíîãî ðàâíîâåñèÿ îáåñïå÷üòå «âûäåðæêó» ñåÿíèå ìîùíîñòè ÷ðåçìåðíî è ñîçäàåò ïðî-
äëèòåëüíîñòüþ ïîðÿäêà ïÿòè ìèíóò. (Òî÷íîå áëåìû, ìîæíî ñíèçèòü ïåðèîä èçìåðåíèé äî
âðåìÿ íàãðåâà, íåîáõîäèìîå äëÿ óñòàíîâëå- ÷àñîâ èëè äàæå ñóòîê, ïîñêîëüêó èçìåíåíèÿ â
íèÿ ðàâíîâåñèÿ, çàâèñèò îò êîíêðåòíîãî ïîòîêå âîçäóõà ïðîèñõîäÿò î÷åíü ìåäëåííî.
óñòðîéñòâà; âû äîëæíû îïðåäåëèòü åãî ýêñ- Âû òàêæå ìîæåòå çàïëàíèðîâàòü èçìåðåíèÿ
ïåðèìåíòàëüíî). Äîæäàâøèñü ðàâíîâåñèÿ, íà âðåìÿ íèçêîé àêòèâíîñòè ñèñòåìû, êîãäà
ñíèìèòå ïèòàíèå ñ òðàíçèñòîðà Q3, âûêëþ÷èâ îáùåå ýíåðãîïîòðåáëåíèå ìàëî. ÐË
Q1 è Q2, è çàìêíèòå àíàëîãîâûå êëþ÷è IC2 è
IC3, ÷òîáû ïðîèçâåñòè èçìåðåíèÿ òåìïåðàòó- Ìàòåðèàëû ïî òåìå
ðû. Âîçäóøíûé ïîòîê íàïðÿìóþ ñâÿçàí ñî
ñêîðîñòüþ, ñ êîòîðîé ïàäàåò òåìïåðàòóðà. 1. Datasheet Maxim Integrated MAX1618
2. Datasheet Maxim Integrated MAX1661
3. Datasheet Maxim Integrated MAX4626
4. Datasheet ON Semiconductor FDN335N
5. Datasheet ON Semiconductor FDN336P

Ïðèëîæåíèå. Êîìàíäû I2C Ðàçîìêíóòü âñå êëþ÷è; çàòåì çàìêíóòü èçìåðèòåëüíûå êëþ÷è

Çàïèñü â MAX1661 (àäðåñ = 40h): Çàïèñü êîíôèãóðàöèè; îäíîêðàòíûé ðåæèì
F3h F2h Êîìàíäà îäíîêðàòíîãî èçìåðåíèÿ
×òåíèå îêðóæàþùåé òåìïåðàòóðû
Çàïèñü â MAX1661 (àäðåñ = 30h):
09h 48h
0Fh
W 01 R ??h

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 61

Çàïèñü â MAX1661 Ðàçîìêíóòü âñå êëþ÷è; çàòåì âêëþ÷èòü ñèëîâûå MOSFET
F3h F5h

Âûäåðæêà â òå÷åíèå 5 ìèíóò

Çàïèñü â MAX1661 Ðàçîìêíóòü âñå êëþ÷è; çàòåì çàìêíóòü èçìåðèòåëüíûå êëþ÷è
F3h F2h

Çàïèñü â MAX1661 Êîìàíäà îäíîêðàòíîãî èçìåðåíèÿ
0Fh ×òåíèå òåìïåðàòóðû
W 01 R ??h

Çàöèêëèòå äâå ïîñëåäíèå èíñòðóêöèè è ïîäñ÷èòàéòå, ñêîëüêî âðåìåíè ïîòðåáóåòñÿ, ÷òîáû òåìïåðàòóðà
óïàëà äî íà÷àëüíîé òåìïåðàòóðû îêðóæàþùåé ñðåäû + 1°.

62 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

ÎÊÎ Àðõèâ ÀÂÒÎ GPS/GSM

ñïåöèàëèçèðîâàííûé âèäåîðåãèñòðàòîð äëÿ àâòîòðàíñïîðòà
íàäåæíî ñõîõðàíÿåò è âîñïðîèçâîäèò âèäåî- è àóäèîèíôîðìàöèþ,

ìàðøðóò äâèæåíÿ, âûïîëíÿåò îõðàííûå ôóíêöèè
âî âðåìÿ ñòîÿíêè è ïåðåäàåò èíôîðìàöèþ ïî GSM

òàêæå â ïðîäàæå ìîäåëè
ÎÊÎ Àðõèâ ÀÂÒÎ è ÎÊÎ Àðõèâ ÀÂÒÎ GPS

ÎÊÎ Ìîáàéë 3G

âèäåîðåãèñòðàòîð ñ âîçìîæíîñòüþ
ïåðåäà÷è âèäåî ïî áåñïðîâîäíûì ñåòÿì 3G
òàêæå â ïðîäàæå ìîäåëè
ÎÊÎ Ìîáàéë è ÎÊÎ Ìîáàéë II - ïåðåäà÷à âèäåî ïî GSM

ÂÈÄÅÎÐÅÃÈÑÒÐÀÒÎÐÛ ÑÅÐÈÈ “ÎÊÎ ÀÐÕÈ”

ïîñòðîåíèå ïðîñòîé, íàäåæíîé, àâòîíîìíîé ñèñòåìû âèäåîíàáëþäåíèÿ äëÿ ÷àñòíîãî è êîììåð÷åñêîãî ñåêòîðîâ

ÎÊÎ Àðõèâ 4NET ÎÊÎ Àðõèâ 4NET LE ÎÊÎ Àðõèâ LITE CF

ïîäêëþ÷åíèå ïî LAN/internet ïîäêëþ÷åíèå ïî LAN/internet çàïèñü íà êàðòó Compact Flash
ñìåííûé æåñòêèé äèñê âñòðîåííûé æåñòêèé äèñê

ÏÐÎÔÅÑÑÈÎÍÀËÜÍÛÅ ÈÍÑÒÐÓÌÅÍÒÛ ÄËß ÂÈÄÅÎÍÀÁËÞÄÅÍÈß

“Äåöèìà”
Ìîñêâà, Çåëåíîãðàä, ïðîåçä 4922, äîì 4, ñòðîåíèå 1
òåë: +7 (495) 988 48 58

http://www.decima.ru

Äâà âàðèàíòà

ïðåîáðàçîâàòåëÿ
SEPIC

Gheorghe Plasoianu

EDN

ÏÏðåîáðàçîâàòåëü ñ íåñèììåòðè÷íî íàãðó- VIN L1 C1 D1 VOUT

æåííîé ïåðâè÷íîé èíäóêòèâíîñòüþ (SEPIC) + L2 C2 RL
ÿâëÿåòñÿ õîðîøî èçâåñòíîé ðàçíîâèäíîñòüþ – S1
DC/DC ïðåîáðàçîâàòåëÿ, êîòîðûé â ñâîåé
ñòàíäàðòíîé ôîðìå ìîæåò âûðàáàòûâàòü VBOOST
âûõîäíîå íàïðÿæåíèå áîëüøåå, ìåíüøåå +
èëè ðàâíîå âõîäíîìó, è òîé æå ïîëÿðíîñòè.
Ýòî äåëàåò åãî îñîáåííî ïîëåçíûì â ïðèëî- –
æåíèÿõ ñ áàòàðåéíûì ïèòàíèåì, ãäå íà÷àëü-
íîå íàïðÿæåíèå âûøå, à ê êîíöó ñòàíîâèòñÿ Ðèñóíîê 2. Ïðåîáðàçîâàòåëü SEPIC ñ èñòî÷-
íèæå òðåáóåìîãî ñòàáèëèçèðîâàííîãî âûõîä- íèêîì âîëüòîäîáàâêè.
íîãî íàïðÿæåíèÿ.
Ïðè íåîáõîäèìîñòè èìååòñÿ âîçìîæíîñòü
 ñòàíäàðòíîé ñõåìå SEPIC óïðàâëÿþùåå ñìåñòèòü âûõîäíîå íàïðÿæåíèå, ïîäêëþ÷èâ
óñòðîéñòâî (îáû÷íî ýòî MOSFET, ïðåäñòàâ- íèæíèé êîíåö L2 ê èñòî÷íèêó ïîñòîÿííîãî
ëåííûé íà Ðèñóíêå 1 ïåðåêëþ÷àòåëåì S1) íàïðÿæåíèÿ VBOOST, êàê ýòî ïîêàçàíî íà
óñòàíàâëèâàåò âûõîäíîå íàïðÿæåíèå â ñîîò- Ðèñóíêå 2.
âåòñòâèè ñ âåëè÷èíîé êîýôôèöèåíòà çàïîë-
íåíèÿ D. Âûõîäíîå íàïðÿæåíèå îïðåäåëÿåò- Âûõîäíîå íàïðÿæåíèå ïðè òàêîé êîíôèãó-
ñÿ êîýôôèöèåíòîì ïðåîáðàçîâàíèÿ: ðàöèè ñõåìû áóäåò ðàâíî

VOUT = D .
VIN 1- D

VIN L1 C1 D1 VOUT VOUT = VIN 1 D + VBOOST .
-D

+ L2 C2 RL Âàðèàíò 1
– S1
Ïîñêîëüêó óïðàâëÿþùèé ýëåìåíò ðàáîòà-
Ðèñóíîê 1. Ñòàíäàðòíàÿ ôîðìà ïðåîáðàçî- åò òîëüêî ñ ÷àñòüþ âûõîäíîãî íàïðÿæåíèÿ,
âàòåëÿ SEPIC. ýòîò ïîäõîä ìîæíî èñïîëüçîâàòü äëÿ ñòàáè-
ëèçàöèè íàïðÿæåíèÿ, íàìíîãî ïðåâûøàþ-
ùåãî äîïóñòèìîå íàïðÿæåíèå MOSFET.
Ðèñóíîê 3 äåìîíñòðèðóåò ñõåìó ïðîâåðåí-
íîé ðàáîòîñïîñîáíîé êîíñòðóêöèè ñ íàïðÿ-

64 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

+248V L1 D1 +260V

68µ C3 UF5408

C1 L2 330n/630 C4
470µ RL
68µ
R3 47µ

VIN C6 510
R2

+ 100n 1M

– +28V Vcc M1

Vref Output R6 IRF541

R5 U1 10 R4
11k 20k
C2 TL3843P R9

2200µ C7 Rt/Ct Isense
100n C8
GND COMP FB 100 R7 R8
1n C9 510 0.22
1n
R1

22k

C5

100n

Ðèñóíîê 3. Ïîëíàÿ ñõåìà ïðåîáðàçîâàòåëÿ SEPIC ñ âûñîêîâîëüòíûì âûõîäîì è âîëüòîäîáàâî÷íîé
îáìîòêîé òðàíñôîðìàòîðà.

æåíèåì âîëüòîäîáàâêè, ñîçäàâàåìûì âåð- Ñõåìà îáåñïå÷èâàåò õîðîøóþ ñòàáèëèçà-
õíåé âòîðè÷íîé îáìîòêîé òðàíñôîðìàòîðà. öèþ äàæå ïðè èçìåíÿþùåéñÿ íàãðóçêå. Ïðè
Ïðåèìóùåñòâî ýòîãî ïðåîáðàçîâàòåëÿ, â èñïûòàíèÿõ èçìåíåíèå òîêà íàãðóçêè îò
îòëè÷èå îò äðóãèõ àíàëîãè÷íûõ ðåøåíèé, 20 ìÀ äî 200 ìÀ ïðèâîäèëî ê ïàäåíèþ âûõîä-
ñîñòîèò â òîì, ÷òî íàïðÿæåíèå âîëüòîäîáàâ- íîãî íàïðÿæåíèÿ âñåãî íà 0.5 Â.
êè è ðåãóëèðóåìîå íàïðÿæåíèå èìåþò
îáùóþ çåìëþ. Ñëåäóåò îòìåòèòü, îäíàêî, Âàðèàíò 2
÷òî, õîòÿ MOSFET íå äîëæåí âûäåðæèâàòü
âûñîêîå íàïðÿæåíèå, êîíäåíñàòîð C3 äîë- Âàðèàíò îáû÷íîãî ïðåîáðàçîâàòåëÿ
æåí áûòü âûñîêîâîëüòíûì. SEPIC, ïîêàçàííûé íà Ðèñóíêå 4, îáåñïå÷è-
âàåò äâà ðàâíûõ íàïðÿæåíèÿ ïðîòèâîïîëîæ-
íîé ïîëÿðíîñòè, ãäå

VIN L1 C1 D2 V+ V+ = VIN D
C2 1- D
+ L2 RL+
– S1
è

L3 V- = -VIN D.
D3 1- D

V– Ïî ñðàâíåíèþ ñ îïèñàííûì ðàíåå êîìáè-
íèðîâàííûì ïðåîáðàçîâàòåëåì Æuk-SEPIC
C3 [1], îí èìååò íàìíîãî ëó÷øóþ ïåðåêðåñòíóþ
RL– ñòàáèëèçàöèþ ìåæäó äâóìÿ âûõîäíûìè
íàïðÿæåíèÿìè. Îäíàêî äâå èíäóêòèâíîñòè L2
Ðèñóíîê 4. Ïðåîáðàçîâàòåëü SEPIC ñ áèïî- è L3 äîëæíû áûòü õîðîøî ñâÿçàíû, ÷òîáû
ëÿðíûìè âûõîäàìè. èçáåæàòü «çâîíà» íà êàòîäå D2. Èëè æå, äîë-
æíà èñïîëüçîâàòüñÿ ïîäõîäÿùàÿ ñíàááåðíàÿ

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 65

VIN L1 C2 D1 V+
68µ 10µ D2
+
– C1 C9 R3 M1 R8
10µ 100n 510 IRF541 47k
28
R6 R7 C3 RL+
510 0.22 60
P1 10µ
Vcc 20k

Vref Output R4 L2 V–
U1 Coilcraft
10 DA2033-AL
C8 R1 Rt/Ct TL3843P R5 4×10µH
100n 11k Isense
100
C7 GND COMP FB C5 C4 RL–
1n 1n 10µ 60

R2
22k

C6

100n

Ðèñóíîê 5. Ïðàêòè÷åñêàÿ ðåàëèçàöèÿ ïðåîáðàçîâàòåëÿ SEPIC ñ äâóìÿ âûõîäàìè.

Òàáëèöà 1. Ðåçóëüòàòû èñïûòàíèé ïðåîáðà- dV- = -0.56 Â / À .
çîâàòåëÿ dIL-

VIN IIN V+ RL+ V– RL– Íà Ðèñóíêå 6 ïðåäñòàâëåíû ôîðìû ñèãíà-
26.6 0.38 16.00 60 –15.54 60 ëîâ íà çàòâîðå MOSFET è, ñîîòâåòñòâåííî,
26.6 0.47 16.00 60 –15.47 40 íà êàòîäå D2 è àíîäå D1. ÐË
26.6 0.48 16.00 40 –15.60 60
Ññûëêè
öåïî÷êà. Ïðàêòè÷åñêàÿ ðåàëèçàöèÿ òàêîãî
ïîäõîäà ïîêàçàíà íà Ðèñóíêå 5. 1. SEPIC/Æuk converter sprouts second output

Èñïûòàíèå ïðåîáðàçîâàòåëÿ ñ ðàçëè÷íû- Ìàòåðèàëû ïî òåìå
ìè íàãðóçêàìè äàëî ðåçóëüòàòû, ïðåäñòàâ-
ëåííûå â Òàáëèöå 1. Ïðè ýòîì 1. Datasheet Texas Instruments TL3843P
2. Datasheet ISC IRF541
dV- = 0.46 Â / À , 3. Datasheet Vishay UF5400
dIL+

2 2

2 µs 2 µs
20.0 V 20.0 V

1 1

2 µs 2 µs
10.0 V 10.0 V

(à) 2 µs BWL 1 DC 4.8 V 100 MS/s (á) 2 µs BWL 1 DC 4.8 V 100 MS/s

1 1 V DC =~ 1 1 V DC =~
2 2 V DC ~= 2 2 V DC ~=

Ðèñóíîê 6. Çàâèñèìîñòü íàïðÿæåíèÿ íà çàòâîðå MOSFET îò íàïðÿæåíèÿ íà êàòîäå D2 (à) è
àíîäå D1 (á).

66 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

Âûñîêîâîëüòíûé
ðåãóëÿòîð,

ñîáðàííûé ïîëíîñòüþ
íà SMD êîìïîíåíòàõ

Tom Gross

EDN

ÑÑäåëàòü èñòî÷íèê âûñîêîãî íàïðÿæåíèÿ, õíîñòíîãî ìîíòàæà. Ñëîæíî íàéòè SMD êîì-
ïîíåíòû ñ íóæíûìè õàðàêòåðèñòèêàìè, îñî-
ïðåîáðàçóÿ îòíîñèòåëüíî íèçêîå âõîäíîå áåííî òðàíñôîðìàòîðû è ñèëîâûå êëþ÷è.
íàïðÿæåíèå, ìîæåò áûòü íåïðîñòî, îñîáåí- Íàéòè âûñîêîâîëüòíûå êîíäåíñàòîðû äëÿ
íî, åñëè òðåáóåòñÿ êîíñòðóêöèÿ äëÿ ïîâåð-

VIN COILCRAFT VOUT
10 … 25 Â VP2-0216
1:5 100  ÏÐÈ 50 ìÀ
1k ÌÀÊÑÈÌÓÌ
FMMT619 6 7 MURS160
10 µH 5

3

+ 22 µF, 8.2 Â, Si4480
35  ¼Âò
AVX TPS 100k + 220 µF,
35 Â

10 µF, 16 Â MBRS1100 +
ÊÅÐÀÌ.
MBR0520 100k 220 µF, ÀËÞÌÈÍÈÅÂÛÅ
10 35 Â ÝËÅÊÒÐÎ-

ËÈÒÈ×ÅÑÊÈÅ

+ 220 µF, ÊÎÍÄÅÍÑÀÒÎÐÛ
35 Â SANYO CV-GX
1 µF 6 5 100k
ÊÅÐÀÌ. VIN SW 825k 100k
IC1 2 1%
1 LT1308 FB +
VC 10.5k 220 µF,
GND 1% 35 Â
4
560 pF 6800 pF

47k

Ðèñóíîê 1. Â ýòîì âûñîêîâîëüòíîì ðåãóëÿòîðå ñ áóòñòðåïíûì ïèòàíèåì êîììóòèðóþùåãî òðàí-
çèñòîðà èñïîëüçóþòñÿ òîëüêî êîìïîíåíòû äëÿ ïîâåðõíîñòíîãî ìîíòàæà.

ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019 ÑÕÅÌÛ 67

ïîâåðõíîñòíîãî ìîíòàæà òàêæå ìîæåò áûòü ÊÏÄ (%) 75
òðóäíî. Ñõåìà íà Ðèñóíêå 1 ïðåîáðàçóåò âõîä- ÁÅÇ ÄÈÎÄÀ
íîå íàïðÿæåíèå 25 Â â âûõîäíîå íàïðÿæåíèå Ñ ÄÈÎÄÎÌ
100 Â. Ñõåìà ïðåäñòàâëÿåò ñîáîé òèïè÷íûé
îáðàòíîõîäîâîé ðåãóëÿòîð, â êîòîðîì äëÿ 50 30 40 50 60
ðàáîòû ñ âûñîêèì íàïðÿæåíèåì èñïîëüçóåò- 20 ÒÎÊ ÍÀÃÐÓÇÊÈ (ìÀ)
ñÿ íåñêîëüêî õîðîøî îòðàáîòàííûõ ñõåìíûõ
ðåøåíèé. Ïåðâûé ìåòîä çàêëþ÷àåòñÿ â òîì, Ðèñóíîê 2. Èñïîëüçîâàíèå áóòñòðåïíîãî
÷òîáû âêëþ÷èòü n-êàíàëüíûé MOSFET äèîäà â ñõåìå íà Ðèñóíêå 1 óâåëè÷èâàåò ÊÏÄ
(Si4480) ïîñëåäîâàòåëüíî ñ âíóòðåííèì ìîù- ïðèìåðíî íà 3%.
íûì òðàíçèñòîðîì ìèêðîñõåìû IC1. Ïðè
âûêëþ÷åíèè êîììóòèðóþùåãî òðàíçèñòîðà ñÿ íàïðÿæåíèå 7.5  – áîëåå ÷åì äîñòàòî÷íîå
íà íåì âûäåëÿåòñÿ áîëüøîå íàïðÿæåíèå. äëÿ ÌÎÏ-òðàíçèñòîðà ñ ëîãè÷åñêèì óðîâíåì
Âûñîêîå êîììóòèðóåìîå íàïðÿæåíèå ïðåä- óïðàâëåíèÿ. Âõîä VIN ìèêðîñõåìû IC1 òàêæå
ñòàâëÿåò ñîáîé ñóììó âõîäíîãî íàïðÿæåíèÿ ïîäêëþ÷åí ê ýìèòòåðó òðàíçèñòîðà ÷åðåç RC-
è îòðàæåííîãî âûõîäíîãî íàïðÿæåíèÿ ïåð- ôèëüòð. Óäîáíîé îñîáåííîñòüþ ýòîé ñõåìû
âè÷íîé îáìîòêè òðàíñôîðìàòîðà. Èñïîëüçî- ÿâëÿåòñÿ òî, ÷òî êîììóòèðóþùåå íàïðÿæå-
âàíèå êàñêîäíîãî ïîëåâîãî òðàíçèñòîðà íå íèå ìèêðîñõåìû ÷åðåç äèîä ïîäàåòñÿ îáðàò-
òîëüêî óâåëè÷èâàåò äîïóñòèìîå êîììóòèðóå- íî íà âõîä. Òàêîå âêëþ÷åíèå ïîçâîëÿåò
ìîå íàïðÿæåíèå, íî òàêæå óñòðàíÿåò íåîáõî- íåìíîãî ïîâûñèòü ÊÏÄ è êîìïåíñèðîâàòü åãî
äèìîñòü â ñíàááåðíîé öåïî÷êå, ïàðàëëåëü- ïîòåðþ èç-çà èñïîëüçîâàíèÿ êàñêîäíîãî ïîëå-
íîé ïåðâè÷íîé îáìîòêå òðàíñôîðìàòîðà. âîãî òðàíçèñòîðà è ýìèòòåðíîãî ïîâòîðèòå-
ëÿ. Íà Ðèñóíêå 2 ïðèâåäåíû ãðàôèêè çàâèñè-
Êîãäà íàïðÿæåíèå íà èñòîêå ñòàíîâèòñÿ ìîñòè ÊÏÄ ðåãóëÿòîðà îò íàãðóçêè äëÿ äâóõ
íèçêèì, MOSFET, åñòåñòâåííî âêëþ÷àåòñÿ. âàðèàíòîâ ñõåìû: ñ áóòñòðåïíûì äèîäîì è
Íî ïîäàòü âõîäíîå íàïðÿæåíèå íåïîñðåä- áåç íåãî. ÐË
ñòâåííî íà çàòâîð íåëüçÿ, ïîñêîëüêó ìàêñè-
ìàëüíîå âõîäíîå íàïðÿæåíèå (25 Â) ïðåâû- Ìàòåðèàëû ïî òåìå
øàåò ìàêñèìàëüíî äîïóñòèìîå çíà÷åíèå
±20 Â äëÿ íàïðÿæåíèÿ çàòâîðà è èñòîêà 1. Datasheet Linear Technology LT1308A
MOSFET. Ïîýòîìó â ñõåìó äîáàâëåí ýìèò-
òåðíûé ïîâòîðèòåëü äëÿ ïîäà÷è ïîñòîÿííîãî 2. Datasheet Vishay SI4480EY
íàïðÿæåíèÿ íà çàòâîð MOSFET. Ðåçèñòîð
ñîïðîòèâëåíèåì 1 êÎì îãðàíè÷èâàåò òîê 3. Datasheet Diodes FMMT619
÷åðåç ñòàáèëèòðîí 8.2  è îáåñïå÷èâàåò áàçî-
âûé òîê n-p-n òðàíçèñòîðà. Â ðåçóëüòàòå íà 4. Datasheet Diodes MURS160
ýìèòòåðå n-p-n òðàíçèñòîðà è íà ïîäêëþ÷åí-
íîì ê íåìó çàòâîðå MOSFET óñòàíàâëèâàåò- 5. Datasheet ON Semiconductor MBRS1100T3G

6. Datasheet Eaton VP2-0216

68 ÑÕÅÌÛ ÐàäèîËîöìàí – ìàé 2019

Æóðíàë äëÿ òåõ, êòî èíòåðåñóåòñÿ ýëåêòðîíèêîé

Åñëè Âàì
íåáåçðàçëè÷íû òåìû:

ìèêðîêîíòðîëëåðû
àâòîìàòèçàöèÿ
ñèëîâàÿ ýëåêòðîíèêà
ñâåòîòåõíèêà
ÑÀÏÐ
èçìåðåíèÿ

èëè Âû ÿâëÿåòåñü íîñèòåëåì
ïåðåäîâûõ çíàíèé â äðóãèõ
îáëàñòÿõ ýëåêòðîíèêè è ãîòîâû èõ
ïîïóëÿðèçèðîâàòü -
ïðèãëàøàåì ê ñîòðóäíè÷åñòâó!

ÐàäèîËîöìàí.Æóðíàë

Ïðèëîæåíèå äëÿ ìîáèëüíûõ óñòðîéñòâ (ïëàíøåòîâ è ñìàðòôîíîâ)

Android »
Google Play

https://play.google.com/store/apps/details?id=net.magtoapp.viewer.radiolocman

iOS (iPhone, iPad) »
App Store

https://itunes.apple.com/ru/app/radiolocman.zurnal/id1083434484?mt=8
Óñòàíàâëèâàéòå ïðèëîæåíèå è ñêà÷èâàéòå!
Äîñòóïåí âåñü àðõèâ íîìåðîâ æóðíàëà.